Halbleiterfertigung: Samsung baut EUV-Kapazität für 5 nm aus

Eine weitere Fab für die Halbleiterfertigung mit extrem ultravioletter Belichtung: Samsung will so stärker mit TSMC konkurrieren.

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Neue Fab in Pyeongtaek in Südkorea
Neue Fab in Pyeongtaek in Südkorea (Bild: Samsung)

Samsung Foundry hat mit dem Bau einer weiteren Fab im südkoreanischen Pyeongtaek begonnen. Das Halbleiterwerk soll in der zweiten Jahreshälfte 2021 den Betrieb aufnehmen, dort sollen Chips mit 5-nm-Technik und extrem ultravioletter Belichtung (EUV) produziert werden. Angedacht sind Designs für 5G, für HPC (High Performance Computing) und für künstliche Intelligenz.

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Erst im Februar 2020 hatte Samsung Foundry schon die Fab V1 im südkoreanischen Hwaseong fertiggestellt und laut eigener Aussage die EUV-Kapazität verdreifacht. Mit der zusätzlichen Fab in Pyeongtaek betreibt Samsung Foundry in Südkorea und in den USA zusammen sechs 300-mm-Werke, die für Logikchips ausgelegt sind. Hinzu kommen Fabs für NAND-Flash- sowie DRAM-Speicher und Produktionsstätten, in denen 200-mm-Wafer belichtet werden.

Das ist wichtig, denn der Konkurrent und weltgrößte Auftragsfertiger TSMC hat in den vergangenen Jahren wichtige Kunden wie Apple oder Huawei exklusiv beliefert. Samsung Foundry konnte sich immerhin einige Snapdragon-SoCs und anteilig auch CPUs sowie GPUs von AMD sichern, diese weisen aber weniger Volumen auf als andere Hersteller. Unbestätigten Meldungen zufolge sollen die Geforce-Grafikkarten mit Ampere-Architektur mit Samsungs 8LPP-Verfahren produziert werden, die GA100 mit ihren 826 mm² hingegen läuft bei TSMC vom Band.

  • Standorte der bisherigen Fabs (Bild: Samsung Foundry)
  • Roadmap der Fertigungsprozesse (Bild: Samsung Foundry)
  • Aktuelle Nodes im Überblick (Bild: Samsung Foundry)
Aktuelle Nodes im Überblick (Bild: Samsung Foundry)

Mit dem Wechsel von 7LPP (7 nm Low Power Plus) zu 5LPE (5 nm Low Power Early) etwa sollen Chips um bis zu 20 Prozent schneller takten oder bis zu 10 Prozent sparsamer sein und um bis zu 20 Prozent kleiner ausfallen. Dabei gilt, dass 6LPP sowie 5LPE und 4LPE auf 7LPP basieren und abgeleitete sowie IP-kompatible Nodes sind. Erst der 3GAE-Knoten soll dann signifikante Verbesserungen wie eine um 50 Prozent geringere Leistungsaufnahme ermöglichen.

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