Halbleiterfertigung: Joe Biden bekommt erste 3-nm-Chips gezeigt

Bei einem Amtsbesuch in Südkorea hat US-Präsident Joe Biden auch eine Fab von Samsung Foundry besucht und die neue 3-nm-Technik gelobt.

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Südkoreas Präsident Yoon Suk-yeol und US-Präsident Joe Biden unterschreiben auf Wafern.
Südkoreas Präsident Yoon Suk-yeol und US-Präsident Joe Biden unterschreiben auf Wafern. (Bild: Office of the 20th President)

Die allermeisten Menschen haben noch nie einen Wafer in der Hand gehalten und nahezu niemand hat jemals auf einem unterschrieben, wohl aber US-Präsident Joe Biden: Der besichtigte bei seinem Amtsbesuch in Südkorea eine von Samsungs modernsten Fabs in Pyeongtaek. "Dieses Werk zeigt, wie eng unsere beiden Länder bei Innovationen zusammenarbeiten, ein Gros der Technik und Maschinen hier wurde in den USA entwickelt und produziert", sagte er später mit Bezug auf die Siliziumscheiben.

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Wie wichtig moderne Halbleiterfertigung mittelfristig auch für die USA ist, betonte Biden ebenfalls und lobte von Samsung getätigte Investitionen außerhalb von Südkorea: Derzeit entsteht mit dem Project Silicon Silver eine weitere Fab im texanischen Austin, sie soll rund 17 Milliarden US-Dollar kosten und über 2.000 Arbeitsplätze schaffen.

3 nm Gate All Around Early gestartet

Samsung fertigt in Pyeongtaek bereits erste Chips mit einem 3-nm-GAA-Verfahren, konkret 3GAE. Das steht für 3 nm Gate All Around Early und beschreibt einen Prozess mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) sowie neuem Transistordesign. Verglichen mit 5 nm - ob 5LPE oder 5LPP, ließ Samsung offen - soll 3GAE die Chipfläche um bis zu 35 Prozent reduzieren und entweder die Performance um 30 Prozent erhöhen oder die Leistungsaufnahme um 50 Prozent verringern.

  • Südkoreas Präsident Yoon Suk-yeol und US-Präsident Joe Biden in Pyeongtaek. (Bild: Office of the 20th President)
  • Die beiden unterschriebenen Wafer. (Bild: Office of the 20th President)
Die beiden unterschriebenen Wafer. (Bild: Office of the 20th President)

Bei bisherigen Finfets wird der Channel - der Übergang von Source zu Drain - von drei Seiten vom Gate umfasst. Bei GAA-Fets hingegen wird er aus Nanosheets geformt, welche das Gate komplett umschließen. Das verbessert den Elektronenfluss zugunsten der Schaltgeschwindigkeit, zugleich sinkt der Flächenbedarf für die Fins. Intel spricht von Ribbonfets und Ribbonsheets für die selbstentwickelte GAA-Implementierung.

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