Halbleiterfertigung: Intels 20- und 18-Angström-Nodes sollen bereits fertig sein

Der 18Å-Node wird schneller entwickelt als gedacht. Er soll bereits 2024 starten und die Führung in der Halbleiterproduktion zurückerobern.

Artikel veröffentlicht am 8. März 2023, 14:00 Uhr, Johannes Hiltscher

Zumindest in der Halbleiterfertigung bleibt die Roadmap von 2022 gültig. (Bild: Intel)

Lange Jahre war die Foundry-Sparte Intels Sorgenkind. Neue Fertigungsprozesse wurden nicht fertig, das Unternehmen wurde von seinen Konkurrenten Samsung und TSMC überholt. Diese Zeiten scheint Intel hinter sich gelassen zu haben.

Die taiwanesische Tageszeitung United Daily News (UDN) berichtet unter Berufung auf chinesische Medien, dass laut Intels Senior Vice President für die Region China, Wang Rui, die Grundlagenentwicklung für die 20Å- und 18Å-Prozesse bereits abgeschlossen sei. Der 18Å-Prozess soll Wang zufolge wie geplant im zweiten Halbjahr 2024 in die Serienproduktion gehen.

Eine ähnliche Andeutung machte laut Tom's Hardware kürzlich Intels CEO Pat Gelsinger: Gegenüber Analysten teilte er mit, man habe bereits eine Testversion des Process Design Kit (PDK) für die 18Å-Fertigung an Partner verteilt. Mit dem PDK werden die Schaltungsentwürfe der Kunden – Intel wird die kommenden Fertigungsprozesse über seine Foundry Services anbieten – auf den jeweiligen Prozess abgebildet. Die Nachfrage sei hoch.

Zur Einordnung: Aktuell ist bei Intel der 7-nm-Prozess Intel 7, mit Meteor Lake sollen 2023 die ersten mit Intel 4 hergestellten Chips auf den Markt kommen. Lediglich ein Jahr später würde dann bereits der dritte neue Prozess eingeführt, da auch noch ein 3-nm-Prozess geplant ist. Damit würde Intel Samsung und TSMC wieder überholen, die ihre 2-nm-Prozesse beide erst 2025 in die Serienfertigung bringen wollen.

Umstieg auf High-NA-EUV nach nur zwei Generationen

Nach Intel 4, bei dem erstmals EUV-Belichtung verwendet wird, ist 20Å ein weiterer technologischer Sprung: Hier sollen erstmals Gate-all-around-Transitoren (GAAFETs) zum Einsatz kommen, gleichzeitig will Intel Backside Power Delivery einführen. Da hier die Spannungsversorgung auf die Rückseite des Chips wandert, haben die Leiter für Signale die Vorderseite für sich allein und können dichter gepackt werden, wodurch auch die Transistordichte steigt.

Beim Nachfolger, 18Å, soll dann mit ASMLs Twinscan Exe:5200 der erste EUV-Belichter mit hoher numerischer Apertur (High-NA) zum Einsatz kommen. Ob der rechtzeitig fertig wird, ist allerdings noch offen. Zwar sollen die ersten Geräte 2023 ausgeliefert werden, ASML plant allerdings erst für 2025 mit dem Produktiveinsatz. Es ist also möglich, dass auch High-NA-Geräte, wie zuvor die EUV-Belichter, beim Kunden zu Ende entwickelt werden.