Halbleiterfertigung: Intel steckt 14 Milliarden US-Dollar in eigene Fabs
Die Standorte in Israel und den USA sollen mit neuen Fertigungslagen erweitert werden, Intel plant zudem Forschungseinrichtungen.
Intel hat weitreichende Investitionen in die eigene Halbleiterfertigung angekündigt: Im US-Bundesstaat New Mexico soll eine neue Fab für 3,5 Milliarden US-Dollar entstehen, für Israel wurde ein Werk für 10 Milliarden US-Dollar bestätigt. Überdies plant Intel zwei R&D-Einrichtungen für 600 Millionen US-Dollar.
Per Livestream aus Rio Rancho in New Mexico teilte Intel mit, dass der Campus ausgebaut werde. Bisher befindet sich dort unter anderem die Fab 11X für 300-mm-Wafer, die mit 32/45-nm-Technik belichtet werden. Künftig soll ein Werk für 700 Mitarbeitende und 3.500 Jobs in der Umgebung entstehen, allerdings nicht für Prozessoren.
Fokus auf Packaging
Stattdessen soll der Standort für moderne Packaging-Techniken wie Foveros ausgelegt werden. So nennt Intel das eigene 3D-Stacking-Verfahren, das bereits für Lakefield und Ponte Vecchio eingesetzt wird. Ebenfalls angedacht ist eine erweiterte Version der Embedded Multi Die Bridge (EMIB) für 2.5D-Stacking, um Chiplets zu verbinden, etwa bei Sapphire Rapids SP der Xeon-Reihe.
In Israel wiederum soll eine neue Fab entstehen, dort befindet sich bereits in Kiryat Gat die Fab 28 für die aktuelle 10-nm-Fertigung. Weiter im Norden in Haifa sitzt eines der zwei großen Designteams, die Intel unterhält: Es entwarf unter anderem den Pentium M, aber auch Sandy Bridge sowie Skylake und Ice Lake.
Künftig will Intel das Israel Development Center (IDC) für 200 Millionen US-Dollar um das IDC12, ein R&D-Center, erweitern. Das Mobileye-Headquarter in Jerusalem soll für 600 Millionen US-Dollar in einen Campus für selbstfahrende Automobile ausgebaut werden. Intel übernahm Mobileye 2017 für 15,3 Milliarden US-Dollar.
Europa soll ebenfalls bedacht werden
Parallel zur Expansion in New Mexico stellte Intel bei Chandler im US-Bundesstaat Arizona rund 20 Milliarden US-Dollar für zwei weitere Fabs in Aussicht. Deren Bau soll noch in diesem Jahr begonnen werden, dort will Intel mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) für 7 nm und kleiner produzieren. Auch in Europa soll die Fertigung modernisiert werden, der Standort im irischen Leixlip soll bis 2021 mit insgesamt 7 Milliarden US-Dollar für 7 nm vorbereitet werden.
Auch will Intel-CEO Pat Gelsinger in Deutschland ein Werk errichten lassen, zumindest wenn die Subventionen stimmen: Von 20 Milliarden Euro sollen 8 Milliarden vom Staat kommen, denn Intel würde laut Gelsinger mindestens zwei Fabs benötigen, damit sich der Standort rechne.
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leider werden die Subventionen nie an (gescheite) Bedingungen gebunden - wenn der betrieb...
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