Halbleiter: Weniger Energieverluste durch Siliziumkarbid

Siliziumkarbid (SiC) verträgt höhere Spannungen als Silizium, was Halbleiter auf SiC-Basis viel effizienter macht. Für die Elektromobilität könnten sie bald mehr Reichweite, leichtere Akkus und schnelleres Laden ermöglichen.

Ein Bericht von Daniel Hautmann veröffentlicht am
In-house-prozessierte SiC-Leistungshalbleiterbauelemente
In-house-prozessierte SiC-Leistungshalbleiterbauelemente (Bild: Fraunhofer IISB)

SiC-Chips sind derzeit sehr gefragt: Hersteller wie Infineon, Bosch, STMicroelectronics und andere sind bis weit ins nächste Jahr ausgebucht und erweitern ihre Kapazitäten. Das ist kein Wunder, soll Siliziumkarbid (SiC) doch in der Energiewende eine wichtige Rolle spielen. Überall, wo Gleich- und Wechselstrom umgewandelt wird, spielt es seine Stärken aus.


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