Halbleiter: Weniger Energieverluste durch Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (SiC) verträgt höhere Spannungen als Silizium, was Halbleiter auf SiC-Basis viel effizienter macht. Für die Elektromobilität könnten sie bald mehr Reichweite, leichtere Akkus und schnelleres Laden ermöglichen.
SiC-Chips sind derzeit sehr gefragt: Hersteller wie Infineon, Bosch, STMicroelectronics und andere sind bis weit ins nächste Jahr ausgebucht und erweitern ihre Kapazitäten. Das ist kein Wunder, soll Siliziumkarbid (SiC) doch in der Energiewende eine wichtige Rolle spielen. Überall, wo Gleich- und Wechselstrom umgewandelt wird, spielt es seine Stärken aus.
Bei jedem Wechsel geht Energie verloren. SiC verringert diese Umwandlungsverluste. Je nach Einsatzgebiet erwarten Experten um bis zu 30 Prozent verringerte Verluste. Das summiert sich schnell auf einige Megawattstunden Einsparung.