Halbleiter: STMicro baut Siliziumkarbid-Fab in China
Der Chipkonzern STMicroelectronics arbeitet mit dem chinesischen Halbleiterkonzern Sanan Optoelectronics zusammen. Beide Anbieter gründen in China ein Gemeinschaftsunternehmen für die Herstellung von 200-Millimeter-Siliziumkarbid-Bauelementen. Dazu soll eine Fabrik in der Volksrepublik entstehen, wie STMicro am Mittwoch in Genf mitteilte(öffnet im neuen Fenster) .
Für die geplante Zusammenarbeit investieren STMicro und Sana insgesamt 3,2 Milliarden Dollar (3 Milliarden Euro), mehr als zwei Drittel davon in den nächsten fünf Jahren. Die Unternehmen setzen auch auf Subventionen der chinesischen Regierung. In der im chinesischen Chongqing geplanten Fabrik soll die Produktion im vierten Quartal 2025 beginnen, bis 2028 sollen die Kapazitäten vollständig ausgebaut sein.
Das Gemeinschaftsunternehmen werde die Bauelemente exklusiv für STMicro herstellen, hieß es weiter. Parallel dazu will Sanan eine weitere neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate errichten und betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures weiter zu decken.
Siliziumkarbid wird unter anderem in Elektroautos eingesetzt und bietet einige Vorteile im Vergleich zu Silizium. Die Härte und chemischen Eigenschaften des Werkstoffs mit der chemischen Formel SiC ermöglichen geringere Leistungsverluste, so dass Elektroautos mit der gleichen Ladeleistung weiter fahren können.
STMicro-Chef Jean-Marc Chery geht davon aus, bis 2030 einen Umsatz von 5 Milliarden Euro mit der SiC-Technologie erzielen zu können. China gilt dabei als bedeutender Markt, die Zahl der Elektroautos wächst dort rasant.
Das Unternehmen kündigte bereits vor einem Jahr an , massiv in Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid-basierte Leistungselektronik zu investieren. Der Automobilzulieferer ZF gab zudem im vergangenen April eine Kooperation für diese Art Chips mit STMicro bekannt .
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