Galliumnitrid: Infineon kauft kanadische GaN Systems

Galliumnitrid gilt als neues Wundermaterial. Infineon gibt derzeit viel Geld in dem Bereich aus.

Artikel veröffentlicht am 3. März 2023, 8:48 Uhr, Achim Sawall

Produkte von GaN Systems (Bild: GaN Systems)

Infineon Technologies will den kanadischen Halbleiterhersteller GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben. Das gab Infineon am 2. März 2023 bekannt. Das Unternehmen mit Hauptsitz im kanadischen Ottawa hat rund 200 Beschäftigte.

GaN Systems entwickelt Leistungsumwandlungshalbleiter für Stromumwandlung in Elektrofahrzeugen, Servern, bei Solar- und Windenergie, Smart-Grid-Schaltungen und Lithium-Batteriemanagement. "Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge stehen kurz vor dem Durchbruch", sagte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon. Die geplante Übernahme von GaN Systems stärke Infineons Position im Bereich Power-Systems, "sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid".

Galliumnitrid (GaN) ermöglicht noch höhere Schaltgeschwindigkeiten als SiC. GaN-Wafer lassen sich zudem einfacher und günstiger herstellen. Das Potenzial von Galliumnitrid ist noch größer als von Siliziumcarbid. Für hohe Leistungen ist GaN aber noch im Forschungsstadium.

Galliumnitrid entwickele sich neben Silizium und Siliziumcarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Mit der Investition von rund 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim (Malaysia) kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap an. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach (Österreich).

Infineon zahlt Übernahme aus eigenen Reserven

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird laut Infineon aus vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

Vor allem im Bereich der Ladegeräte bietet GaN den Vorteil, dass aufgrund der besseren Leitfähigkeit bei kleinerer Bauweise die gleiche Leistung wie bei herkömmlichen Ladegeräten erreicht werden kann. Es kommen dann beispielsweise Netzteile wie das Nano 3 von Anker heraus, das bei Maßen von nur 28 x 28 x 35 mm eine Leistung von 30 Watt hat.