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Galliumnitrid: Bisher kleinstes Notebook-Netzteil entwickelt

Bessere Halbleiter für Leistungselektronik: Immer mehr Transistoren nutzen Galliumnitrid statt Silizium. Das ermöglicht kompaktere und effizientere Netzteile für Smartphones oder Elektroautos bis hin zu Supercomputern. Das kleinste Notebook -Netzteil stammt vom MIT.
/ Marc Sauter
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Notebook-Netzteil mit Leistungstransistoren aus Galliumnitrid (Bild: Cambridge Electronics Inc)
Notebook-Netzteil mit Leistungstransistoren aus Galliumnitrid Bild: Cambridge Electronics Inc

Das laut eigener Aussage kompakteste Notebook-Netzteil der Welt hat die zum Massachusetts Institute of Technology gehörende Cambridge Electronics Inc entwickelt(öffnet im neuen Fenster) . Beim Halbleitermaterial für die integrierte Leistungselektronik setzten die Forscher auf Galliumnitrid. Künftig sollen mit Leistungstransistoren aus dem Halbleiter die Netzteile einer Vielzahl von Consumer-Geräten wie Notebooks und in Elektroautos und Datenzentren sowie Supercomputern effizienter werden. So soll etwa die Reichweite eines Fahrzeuges steigen.

Die Cambridge Electronics Inc hat mehrere Leistungstransistoren und darauf basierende Leistungselektronik mit Galliumnitrid entwickelt und so ein besonders kompaktes Netzteil für Notebooks gefertigt. Details zur Nennleistung liegen nicht vor, das Gerät soll aber nur anderhalb Kubikzoll aufweisen - das entspricht gut 27 cm³ (Würfel mit einer Kantenlänge von 3 cm). Zum Vergleich: Das 36-Watt-Netzteil eines Surface Pro 3 misst circa 90 cm³.

Künftige Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid statt Silizium soll den Energiebedarf weltweit um 10 bis 20 Prozent verringern, wenn entsprechende Netzteile bei einer Vielzahl von Geräten, Fahrzeugen oder Rechenzentren verwendet werden. Verglichen mit Silizium weist Galliumnitrid eine bessere Wärmeleitfähigkeit aus und kann bei höheren Temperaturen arbeiten. Das verringert den Kühlaufwand, Netzteile werden kleiner und leichter - wichtig für Elektroautos oder Racks in Servern in Supercomputern.

Da zudem die Durchschlagsfestigkeit höher ist, also größere Spannungen geschaltet werden können, und die Schaltgeschwindigkeiten besser sind als bei Silizium-Leistungstransistoren, dürfte Galliumnitrid die Zukunft gehören. Im Spätsommer 2014 beispielsweise kaufte Infineon den Leistungstransistor-Hersteller International Rectifier für drei Milliarden US-Dollar.


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