Für SSP-Plattform: VW setzt auf Siliziumkarbid-Mosfets von Onsemi
Volkswagens Scalable System Platform (SSP) soll einmal die Basis für Elektroautos des Konzerns bilden. Wann sie kommt, ist unklar, 2023 versprach der Vorstandsvorsitzende Oliver Blume 2026 als Starttermin . Jüngst war von neuen Verschiebungen aufgrund von Verzögerungen bei der Software-Entwicklung die Rede. Zumindest bei der Hardware aber geht es voran: Die Leistungshalbleiter für den Traktionswechselrichter wird VW von Onsemi beziehen.
Das gaben die beiden Unternehmen heute bekannt. Da SSP in Fahrzeugen vom Kleinwagen bis zum Sportwagen eingesetzt werden soll, setzt Onsemi auf eine modulare Lösung. Die lässt sich für die verschiedenen Anforderungen skalieren. Dabei kommt mit EliteSiC M3e die neueste Generation an Siliziumkarbid-Mosfets (SiC) zum Einsatz, die Onsemi in der vergangenen Woche vorstellte(öffnet im neuen Fenster) .
Für die neue Mosfet-Generation verspricht Onsemi durch geringeren Widerstand und verbessertes Schaltverhalten geringere Leitungs- und Schaltverluste. Das bedeutet nicht nur mehr Reichweite – Onsemi verspricht ein Plus von bis zu fünf Prozent -, sondern auch eine höhere Leistungsdichte. Insgesamt könne das neue 1.200-Volt-Die 20 Prozent mehr Leistung bei gleich großem Wechselrichter liefern, alternativ ließe sich ein bestehendes Modul 20 Prozent kleiner bauen.
Fertigung in Tschechien
Die verwendeten SiC-Mosfets will Onsemi in Tschechien herstellen. Erst im Juni 2024 hatte das Unternehmen bekannt gegeben, das Werk bei Roznov um eine SiC-Fertigung erweitern zu wollen(öffnet im neuen Fenster) .
Der neue Produktionsstandort soll dabei die komplette Fertigungskette umfassen: Onsemi betreibt in Roznov bereits eine Fertigungsanlage für SiC-Wafer, auch das Packaging der gefertigten Halbleiter soll vor Ort erfolgen. Laut Pressemitteilung war die vollständige Fertigung in Europa ein wichtiges Entscheidungskriterium für VW – der Konzern verspricht sich davon eine robuste Lieferkette.