Flash-Speicher: Intel und Micron trennen sich bei 3D-NAND
Intel und Micron haben bekannt gegeben, in Zukunft jeweils ihren eigenen 3D-NAND-Flash-Speicher(öffnet im neuen Fenster) zu entwickeln, statt gemeinsam daran zu arbeiten. Das IMFT (Intel & Micron Flash Technologies) genannte Joint Venture will die dritte Generation an 3D-Flash noch wie geplant ab Ende 2018 ausliefern, danach werden beide Hersteller ihre eigenen Lösungen entwerfen. Derzeit befindet sich die zweite Generation in der Serienfertigung, die 256-GBit-Dies werden unter anderem in Crucials MX500 eingesetzt.
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Die Trennung bei 3D-NAND-Flash-Speicher bedeutet zudem nicht, dass IMFT nach mehr als einem Jahrzehnt ebenfalls Geschichte ist: Intel und Micron werden am gemeinsamen Standort im US-Bundesstaat Utah, der Fab in Lehi, weiter an der nichtflüchtigen Speichertechnik 3D Xpoint arbeiten. Das Halbleiterwerk produzierte bisher auch 3D-Flash, künftig soll dort nur noch 3D Xpoint gefertigt werden. Intel verkauft diesen Speicher in Optane genannten Produkten wie der SSD 900p und bald auch als NV-DIMMs, wohingegen Micron bisher keine QuantX-Laufwerke ankündigte oder auslieferte.
Aus IMFT könnte ITFT werden
Hinsichtlich 3D-Flash soll Intel bereits einen neuen Partner gefunden haben: die chinesische Tsinghua Unigroup. So berichtet die Digitimes(öffnet im neuen Fenster) , dass die Chinesen, deren Ambitionen im Speichersegment extrem groß sind, die aktuelle NAND-Technik von Intel lizenzieren wollten. Bisher scheitert es aber nicht am investierten Geld, sondern am Know-how, und es gibt bereits erste Klagen – unter anderem von Intels bisherigem Partner Micron.
Intel hält seit 2015 einen Anteil von 20 Prozent an der Tsinghua Unigroup , die zur Tsinghua Holdings und damit zur Tsinghua University und ergo zum chinesischen Staat gehört. Passend zum Bericht über eine Kooperation bei 3D-Flash-Speicher soll Intel zudem die Fab 68 in Dalian aufrüsten.