Abo
  • Services:

Fertigungstechnik: Der 14-Nanometer-Schwindel

Wenn Chiphersteller wie Globalfoundries, Intel, Samsung und TSMC von 14-Nanometer-Technik sprechen, meinen sie oft nicht dasselbe. Daher unterscheiden sich die Prozesse vor allem bei der Leistung und Entwicklungsgeschwindigkeit. Das nutzt insbesondere Apple aus.

Artikel von veröffentlicht am
Broadwell-Chips mit 14-nm-FinFET-Technik
Broadwell-Chips mit 14-nm-FinFET-Technik (Bild: Intel)

Wer hat den Kleinsten? Ganz klar Intel - denn Globalfoundries, Samsung und TSMC fertigen zwar ihre Transistoren in einem ähnlichen Verfahren, die restlichen Strukturen aber sind deutlich größer als bei Intel. Rein auf dem Papier sind sie bei 14 und 16 Nanometern angekommen, diese Angaben stehen aber schlicht in der Tradition der sich alle paar Jahre halbierenden Nodes.

Inhalt:
  1. Fertigungstechnik: Der 14-Nanometer-Schwindel
  2. Kleine Strukturen - aber nicht überall

Mit realen Längen oder Maßen wie der Gate-Länge auf Chipebene haben Bezeichnungen wie 14 Nanometer schon seit Jahren nichts mehr zu tun. So sagte Intels William Holt, Leiter der Halbleiterfertigung, zu Broadwell: "Da ist wirklich nichts dran, was 14 Nanometer groß ist." 14 Nanometer sind also nicht viel mehr als Marketing, wenn auch mit einem historischen Hintergrund.

Auf der International Solid State Circuits Conference 2015 (ISSCC) spricht Intel dieses Thema an und vergleicht die eigene Fertigungstechnik mit der Konkurrenz. Genauer gesagt führt der Hersteller auf, wo sich seine 14- und 22-Nanometer-FinFET-Prozesse verglichen mit dem 14-Nanometer-FinFET-Verfahren der Kooperation von Globalfoundries und Samsung sowie der 16-Nanometer-FinFET-Technik von TSMC einordnen.

  • Mit 14 nm sieht sich Intel vor der Konkurrenz und deren 14nm-/16nm-Prozessen, pickt sich aber die Werte etwas heraus. (Bild: Intel)
  • Vergleich der Transistor- und Interconnect-Abstände; bei Samsung ist 14 nm LPE statt LPP und bei TSMC 16FF statt 16FF+ angegeben. (Bild: Intel)
  • Globalfoundries/Samsung bieten 14 nm als LPP und LPE an; hinter 28 nm Custom verbirgt sich 28 nm SHP für Kaveri und Carrizo. (Bild: Globalfoundries)
  • Erste SRAM-Zelle mit 0,0500 µm² (Bild: Intel)
  • Die Kosten pro mm² steigen, die pro Transistor sinken. (Bild: Intel)
  • Die nahe Zukunft gehört Die-Stacking, vertikal wie horizontal. (Bild: Intel)
  • Der verworfene 14XM-Prozess fertigt wie 14nmFinFET und 16FF nur die Transistoren in 14nm. (Bild: Globalfoundries)
  • Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)
Vergleich der Transistor- und Interconnect-Abstände; bei Samsung ist 14 nm LPE statt LPP und bei TSMC 16FF statt 16FF+ angegeben. (Bild: Intel)

Der Abstand eines Gates zum nächsten und der Abstand der Interconnects auf Metal-Layer-Ebene sind bei Intels 14-Nanometer-FinFET-Verfahren geringer. Somit ist die Pack-Dichte der Transistoren sowie der ESRAM-Zellen der Caches pro Quadratmillimeter höher, was simplifiziert weniger Leckströme im Prozessor und niedrigere Kosten für Intel bedeuten, da mehr Chips aus einem Wafer gewonnen werden können.

  • Mit 14 nm sieht sich Intel vor der Konkurrenz und deren 14nm-/16nm-Prozessen, pickt sich aber die Werte etwas heraus. (Bild: Intel)
  • Vergleich der Transistor- und Interconnect-Abstände; bei Samsung ist 14 nm LPE statt LPP und bei TSMC 16FF statt 16FF+ angegeben. (Bild: Intel)
  • Globalfoundries/Samsung bieten 14 nm als LPP und LPE an; hinter 28 nm Custom verbirgt sich 28 nm SHP für Kaveri und Carrizo. (Bild: Globalfoundries)
  • Erste SRAM-Zelle mit 0,0500 µm² (Bild: Intel)
  • Die Kosten pro mm² steigen, die pro Transistor sinken. (Bild: Intel)
  • Die nahe Zukunft gehört Die-Stacking, vertikal wie horizontal. (Bild: Intel)
  • Der verworfene 14XM-Prozess fertigt wie 14nmFinFET und 16FF nur die Transistoren in 14nm. (Bild: Globalfoundries)
  • Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)
Globalfoundries/Samsung bieten 14 nm als LPP und LPE an; hinter 28 nm Custom verbirgt sich 28 nm SHP für Kaveri und Carrizo. (Bild: Globalfoundries)
Stellenmarkt
  1. über Jürgen Gadke Services, Leipzig
  2. Heinle, Wischer und Partner Freie Architekten GbR, Berlin

Allerdings trickst Intel beim Vergleich: So muss Samsungs 14-nm-LPE-Prozess (Low Power Early) statt des etwas besseren LPP-Pendants (Low Power Plus) herhalten und somit stehen in der Tabelle 84 statt 78 nm Gate-Abstand. Zudem ignoriert Intel TSMCs 16FF+ und führt die Werte für 16FF auf - der Gate Pitch würde ansonsten bei 78 statt 90 nm liegen.

Intel wiederum gibt Werte für den P1272-Prozess an, also die CPU-Variante des 14-nm-FinFET-Verfahrens. Das P1273 für Systems-on-a-Chip wie Cherry Trail dürfte etwas besser sein und kleinere Gate Pitches bieten.

Kleine Strukturen - aber nicht überall 
  1. 1
  2. 2
  3.  


Anzeige
Blu-ray-Angebote
  1. über ARD Mediathek kostenlos streamen

Anonymer Nutzer 01. Nov 2016

Du hast den Witz NICHT verstanden!

melaw 16. Sep 2016

Moores Gesetz ist doch schon seit dem 90 oder 65nm Prozess nur noch Marketing. Und nun...

Fotobar 10. Apr 2015

+1, ebenso.

QDOS 24. Feb 2015

Warum sollte das ein Thema für die Zukunft sein?! Dass dein Gesülze Als All-Aussage...

AllDayPiano 24. Feb 2015

Jupp, das Thema ist uralt. Das hatten wir sogar schon im Studium vor gut zwei Jahren in...


Folgen Sie uns
       


Golemma, die Lokomotive, in Far Lone Sails - Livestream

Durch eine komplette Nacht sind wir in Far: Lone Sails mit unseren Zuschauern im Livestream geschippert. Dabei haben wir unser Schiff Golemma getauft und neue Lösungen für verzögerte Live-Kommentare erfunden.

Golemma, die Lokomotive, in Far Lone Sails - Livestream Video aufrufen
Nissan Leaf: Wer braucht schon ein Bremspedal?
Nissan Leaf
Wer braucht schon ein Bremspedal?

Wie fährt sich das meistverkaufte Elektroauto? Nissan hat vor wenigen Monaten eine überarbeitete Version des Leaf auf den Markt gebracht. Wir haben es gefahren und festgestellt, dass das Auto fast ohne Bremse auskommt.
Ein Erfahrungsbericht von Werner Pluta

  1. e-NV200 Nissan packt 40-kWh-Akku in Elektro-Van
  2. Reborn Light Nissan-Autoakkus speisen Straßenlaternen
  3. Elektroauto Nissan will den IMx in Serie bauen

Kryptographie: Der Debian-Bug im OpenSSL-Zufallszahlengenerator
Kryptographie
Der Debian-Bug im OpenSSL-Zufallszahlengenerator

Einer der schwerwiegendsten Fehler in der Geschichte der Kryptographie beschäftigte vor zehn Jahren Nutzer der Debian-Distribution. Wenn man danach sucht, findet man noch heute vereinzelt verwundbare Schlüssel.
Von Hanno Böck


    Recycling: Die Plastikwaschmaschine
    Recycling
    Die Plastikwaschmaschine

    Seit Kurzem importiert China kaum noch Müll aus dem Ausland. Damit hat Deutschland ein Problem. Wohin mit all dem Kunststoffabfall? Michael Hofmann will die Lösung kennen: Er bietet eine Technologie an, die den Abfall in Wertstoff verwandelt.
    Ein Bericht von Daniel Hautmann


        •  /