Fab D1X: Intel Oregon wird erster High-NA-EUV-Standort

Ein drittes Modul mit höherer Decke: Intel rüstet Fab D1X für drei Milliarden US-Dollar auf, dort soll ab 2025 mit High-NA produziert werden.

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Die Fab D1X in Hillsboro, Oregon, wird ausgebaut.
Die Fab D1X in Hillsboro, Oregon, wird ausgebaut. (Bild: Intel)

Intel hat eine Erweiterung der Fab D1X in Hillsboro im US-Bundesstaat Oregon angekündigt: Der Hersteller investiert drei Milliarden US-Dollar in das Halbleiterwerk, es soll das erste des Herstellers für die Produktion mit der kommenden High-NA-EUV-Technik werden. Außerdem plant Intel, den lokalen Ronler-Acres-Campus zu Ehren von Gordon Moore auf dessen Namen umzubenennen.

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Hillsboro ist einer der Hauptstandorte von Intel, dort werden regelmäßig neue Fertigungsverfahren erprobt und oft auch zuerst eingesetzt. Der D1X als sogenannter Development Fab kommt hier eine besondere Rolle zu - dort wurde schon früh mit 10 nm gearbeitet, für Intel 4 (einst 7 nm) mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) werden seit Monaten die notwendigen ASML-Scanner angeliefert und aufgebaut.

Diese 180 Tonnen schweren Maschinen benötigen sehr viel Platz, insbesondere in der Sub-Fab, also der Unterkellerung zur Versorgung der Systeme. Einige Teile befinden sich im Reinraum (Cleanroom), die EUV-Lichtquelle darunter. Die Erweiterung der Fab D1X, das Module 3, ist für noch größere Scanner ausgelegt: In diesem 25.000 Quadratmeter großen Bereich sind die Decken höher, damit sie High-NA-Maschinen aufnehmen.

High-NA ab 2023

Ihren Namen haben sie nicht aufgrund der Maße, sondern weil die numerische Apertur (NA) von 0,33 auf 0,55 steigt. Durch die feinere Auflösung können komplexere Strukturen auf derselben Fläche belichtet werden, Intel will High-NA ab der Intel 18A genannten Fertigung einsetzen. Diese soll verglichen zu Intel 20A die Performance pro Watt um 10 Prozent verbessern; der Produktionsstart ist für das zweite Halbjahr 2024 geplant.

  • Die Fab D1X wird um das Module 3 erweitert. (Bild: Intel)
  • Dort soll künftig auf 25.000 m² produziert werden. (Bild: Intel)
  • Oregon wird erster High-NA-EUV-Standort. (Bild: Intel)
Die Fab D1X wird um das Module 3 erweitert. (Bild: Intel)
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Schon im ersten Halbjahr 2023 sollen die als Twinscan Exe:5000 bezeichneten Scanner ausgeliefert werden, sie kosten ASML zufolge 270 Millionen US-Dollar. Diese Systeme sind primär für Forschung und Entwicklung (R&D) ausgelegt, da der Durchsatz mit 185 Wafern pro Stunde geringer ist als bei den Twinscan Exe:5200. Letztere eignen sich mit über 200 Wph für die Massenproduktion (HVM), etwa für die Prozessoren von Intel.

Zu den bisher angekündigten Designs mit High-NA und Intel 20A gehört Lunar Lake, diese Chips sind für Ultrabooks gedacht und sollen frühestens ab 2024 gefertigt werden.

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