EXE5200B: Forschungszentrum Imec erhält neuesten High-NA-EUV-Belichter
Für künftige Fertigungsprozesse setzen Halbleiterhersteller auf EUV-Belichter mit hoher Numerischer Apertur (NA) von 0,55. Diese ermöglicht die Belichtung noch kleinerer Strukturen und damit die Fertigung kleinerer Transistoren und anderer Elemente. Als wichtiger Partner hat das belgische Halbleiterforschungszentrum Imec das für die Serienfertigung ausgelegte Modell Twinscan EXE:5200B von ASML erhalten(öffnet im neuen Fenster) . Die finale Abnahme soll gegen Ende 2026 erfolgen. Am Stammsitz von ASML in Veldhoven betreiben der Maschinenbauer und Imec bereits ein High-NA-Labor.
Die Labore von Imec stehen Forschern sowie den Entwicklern aller Hersteller offen. Das Forschungszentrum entwickelt zudem selbst Fertigungsprozesse, zuletzt wurden Process Design Kits (PDK) für einen 14-Ångström-Logik- sowie einen Embedded-DRAM-Prozess veröffentlicht. Der EXE:5200B gehört zur Pilotlinie Nanoic , deren Labore neben der neuesten Lithografietechnik mit modernster Prozess- und Metrologietechnik ausgestattet sind.
Mit dem EXE:5000 hatte ASML zwar bereits 2023 erste High-NA-Belichter ausgeliefert . Diese dienen aber in erster Linie der Prozessentwicklung und erreichen lediglich einen Durchsatz von 110 Wafern pro Stunde. Für den EXE:5200B gibt ASML 175 Wafer pro Stunde an, eine neue Lichtquelle kann den Durchsatz rechnerisch auf 260 Wafer pro Stunde steigern.
Höhere Präzision und Geschwindigkeit
Der EXE:5200B ist die technische Weiterentwicklung seines Vorgängers, er erreicht eine höhere Genauigkeit bei übereinanderliegenden Maskenebenen (overlay accuracy). Die ist für Mehrfachbelichtung wichtig, aber auch, um Elemente wie Transistoren exakt zu kontaktieren.
ASML überarbeitete zudem den Aufbau der Maschine grundlegend. Das neue Design ist stärker modular aufgebaut , Teilkomponenten nutzt ASML für unterschiedliche Maschinentypen. Auch Modernisierungen werden so erleichtert. Besonders der sogenannte Stocker, in dem Wafer zwischengelagert werden, wird beim überarbeiteten Modell hervorgehoben: Er soll Prozessstabilität und Wafer-Durchsatz erhöhen.
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