Exagan: STMicroelectronics kauft französisches Startup

STMicroelectronics übernimmt einen Spezialisten für die Entwicklung von Galliumnitrid statt Silizium. Es geht vor allem um Leistungstransistoren.

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Produkt von Exagan
Produkt von Exagan (Bild: Exagan)

STMicroelectronics hat eine Mehrheitsbeteiligung an dem GaN-Spezialisten Exagan erworben. Das gab der französisch-italienische Halbleiterhersteller STMicroelectronics mit Hauptverwaltung in Genf am 5. März 2020 bekannt. Angaben zum finanziellen Volumen der Beteiligung wurden nicht gemacht.

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Exagan ist ein Startup für Galliumnitrid-Entwicklung. Exagans Fachwissen bei Epitaxie, Produktentwicklung und Anwendungs-Know-how werde die Power-GaN-Roadmap und das Geschäft für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen von STMicroelectronics erweitern und beschleunigen, erklärte STMicroelectronics. Exagan wurde 2014 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Grenoble (Frankreich).

Die Transaktion unterliegt den üblichen Genehmigungen der französischen Behörden. Die Vereinbarung sieht auch den Erwerb der verbleibenden Anteile an Exagan durch STMicroelectronics 24 Monate nach Abschluss des Erwerbs der Mehrheitsbeteiligung vor. Die Transaktion wird mit verfügbaren Barmitteln finanziert.

STMicroelectronics ist ein Halbleiterhersteller, der eigene Wafer-Fabriken besitzt und unter anderem für seine SOI-Fertigung bekannt ist. Bei diesem Prozess wird eine isolierende Sperrschicht aus Siliziumoxid verwendet, was Leckströme minimiert. Diese Technik lizensiert STMicroelectronics auch an Partner, beispielsweise IBM und mittlerweile Globalfoundries für deren 22FDX- und 12FDX-Verfahren zur Herstellung von Chips für Geräte des Internets der Dinge.

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Exagan hat sich auf Galliumnitrid statt Silizium als Baustoff für Halbleiter spezialisiert. Galliumnitrid eignet sich wie Siliziumoxid als Sperrschicht für Transistoren, vor allem aber ist es für Leistungstransistoren interessant. Hier konkurriert es mit Siliziumkarbid. Dieses Material wird beispielsweise von Bosch für Autoelektronik eingesetzt. Hierfür wurde das 150-mm-Werk in Reutlingen umgerüstet.

"STMicroelectronics hat eine starke Wachstumsdynamik im Bereich Siliziumkarbid aufgebaut und expandiert nun in einem weiteren sehr vielversprechenden Verbundmaterial, Galliumnitrid, um die Akzeptanz der auf GaN basierenden Energieprodukte bei Kunden zu erhöhen", sagte Jean-Marc Chery, Chef von STMicroelectronics. Die Übernahme stehe im Zusammenhang mit der gemeinsamen Entwicklung mit CEA-Leti im französischen Tours und der kürzlich angekündigten Zusammenarbeit mit TSMC.

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