Abo
  • Services:
Anzeige
Der Testchip mit 7-nm-Technik
Der Testchip mit 7-nm-Technik (Bild: IBM)

EUV-Lithographie: IBM zeigt weltweit ersten Test-Chip mit 7-nm-Technik

Der Testchip mit 7-nm-Technik
Der Testchip mit 7-nm-Technik (Bild: IBM)

Welch ein Kraftakt: IBM hat zusammen mit drei Partnern den bisher einzigen Test-Chip im 7-nm-FinFET-Verfahren hergestellt. Dazu waren neue Materialien und eine Belichtung im Vakuum nötig.

IBM Research hat einen Testchip im 7-nm-FinFET-Verfahren entwickelt - gemeinsam mit Globalfoundries, Samsung und dem College of Nanoscale Science and Engineering der State University of New York Polytechnic Institute (Suny Poly). Damit zeigen die Forscher als erste ein solches Produkt, mit dem künftig bis zu 20 Milliarden Transistoren in einem Chip stecken könnten.

Anzeige

Als Vergleich: Intels Knights Landing für kommende Beschleuniger-Karten vom Typ Xeon Phi bringt es auf über acht Milliarden Transistoren, gefertigt werden die Chips mit 14-nm-FinFET-Technik. Der aktuell größte Chip stammt von AMD, die Fiji-GPU der Spieler-Grafikkarte Radeon R9 Fury X enthält 8,9 Milliarden Transistoren und wird im 28-nm-Prozess hergestellt.

  • Wafer mit 7-nm-FinFET-Testchips (Bild: IBM)
  • 7-nm-FinFET-Testchip (Bild: IBM)
  • Detailaufnahme der Transistoren (Bild: IBM)
Wafer mit 7-nm-FinFET-Testchips (Bild: IBM)

Um den Test-Chip mit 7-nm-FinFET-Technik fertigen zu können, hat IBM wie erwartet EUV-Lithographie eingesetzt: Dieses Belichtungsverfahren arbeitet mit einer Wellenlänge von 13,5 nm. Verglichen mit den 193-nm-Lasern der heute üblichen Immersionslithographie wird die ultra-violette Strahlung (daher Extreme Ultra Violet) bereits von Luft absorbiert, was eine Fertigung im Vakuum unumgänglich macht.

Bisher scheuten alle Hersteller daher dieses exorbitant teure Verfahren, Intel nutzt für seinen 10-nm-FinFET-Prozess noch Immersionslithographie und auch für das 7-nm-FinFET-Verfahren geben sie sich optimistisch, auf extreme ultra-violette Strahlung verzichten zu können. IBM hat Erfahrung mit der EUV-Lithographie: Schon 2008 demonstrierte der Hersteller zusammen mit AMD einen entsprechend belichteten Metal-Layer (Interconnect), damals noch mit 45-nm-Technik.

  • Wafer mit 7-nm-FinFET-Testchips (Bild: IBM)
  • 7-nm-FinFET-Testchip (Bild: IBM)
  • Detailaufnahme der Transistoren (Bild: IBM)
Detailaufnahme der Transistoren (Bild: IBM)

Um abseits der Verkleinerung (Shrink) die Packdichte zu erhöhen, hat IBM Techniken entwickelt, um die Transistoren mit Abständen von weniger als 30 nm nebeneinander anzuordnen. Die fortschrittlichsten heutigen Fertigungsverfahren haben einen sogenannten Transistor Fin Pitch von 42 nm. Eine weitere Verbesserung ist der Einsatz von Silizium-Germanium im Transistorkanal, dadurch steigt die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren.

Der Fortschritt bei der EUV-Lithographie und der dadurch jetzt entwickelte Testchip im 7-nm-FinFET-Verfahren zeigen damit erneut, dass Moore's Law nach wie vor seine Gültigkeit besitzt.


eye home zur Startseite
476f6c656d 09. Jul 2015

Nucular! Das Wort heißt Nucular! SCNR :P

m00hk00h 09. Jul 2015

Physiker unterscheiden Strahlungen aber auch ihrer Entstehung nach, unabhängig vom...

DY 09. Jul 2015

Das war nicht der erste und wird auch nicht der letzte gewesen sein. Medien ist...



Anzeige

Stellenmarkt
  1. DIEBOLD NIXDORF, Berlin
  2. ISI Management Consulting GmbH, Düsseldorf
  3. Gartenbau-Versicherung VVaG, Wiesbaden
  4. Lufthansa Industry Solutions AS GmbH, Stuttgart


Anzeige
Top-Angebote
  1. 949,00€
  2. 189€ (Bestpreis)
  3. 89,49€ (nur für Prime-Kunden)

Folgen Sie uns
       


  1. Konami

    Metal Gear Survive und Bildraten für Überlebenskünstler

  2. Markenrecht

    Microsoft entfernt App von Windows Area aus Store

  3. Arbeitsgericht

    Google durfte Entwickler wegen sexistischen Memos entlassen

  4. Spielzeug

    Laser Tag mit Harry-Potter-Zauberstäben

  5. Age of Empires Definitive Edition Test

    Trotz neuen Looks zu rückständig

  6. Axel Voss

    "Das Leistungsschutzrecht ist nicht die beste Idee"

  7. Bayern

    Kostenloses WLAN auf Autobahnrastplätzen freigeschaltet

  8. Waymo

    Robotaxis sollen 2018 in kommerziellen Betrieb gehen

  9. Glasfaserkabel zerstört

    Zehntausende Haushalte in Berlin ohne Telefon und Internet

  10. US-Gerichtsurteil

    Einbetten von Tweets kann Urheberrecht verletzen



Haben wir etwas übersehen?

E-Mail an news@golem.de


Anzeige
Hightech im Haushalt: Der Bügel-Battle fällt leider aus
Hightech im Haushalt
Der Bügel-Battle fällt leider aus
  1. Smart Home Hardwareteams von Nest und Google werden zusammengeführt
  2. Lingufino Sprachgesteuerter Kobold kuschelt auch mit Datenschützern
  3. Apple Homepod soll ab Frühjahr 2018 in Deutschland erhältlich sein

Kingdom Come Deliverance im Test: Mittelalter, Speicherschnaps und klirrende Klingen
Kingdom Come Deliverance im Test
Mittelalter, Speicherschnaps und klirrende Klingen
  1. Kingdom Come Deliverance Von unendlich viel Rettungsschnaps und dem Ninja-Ritter
  2. Kingdom Come Deliverance Auf der Xbox One X wird das Mittelalter am schönsten
  3. Kingdom Come Deliverance angespielt Und täglich grüßt das Mittelalter

Chargery: 150 Kilo Watt auf drei Rädern
Chargery
150 Kilo Watt auf drei Rädern
  1. Elektromobilität China subventioniert Elektroautos mit großer Reichweite
  2. Elektromobilität Dyson entwickelt drei Elektroautos
  3. Elektromobilität SPD will höhere Kaufprämie für Elektro-Taxis und Lieferwagen

  1. Re: Redundanz

    scrumdideldu | 11:05

  2. Re: Warum hat Kupfer so einen negativen Ruf?

    Matty194 | 11:05

  3. Re: Freie Meinungsäußerung

    demon driver | 11:05

  4. Re: Sind die nicht etwas spät dran?

    Psy2063 | 11:05

  5. Re: Giana Sisters in neu ...

    Korbeyn | 11:02


  1. 10:58

  2. 10:28

  3. 10:13

  4. 09:42

  5. 09:01

  6. 07:05

  7. 06:36

  8. 06:24


  1. Themen
  2. A
  3. B
  4. C
  5. D
  6. E
  7. F
  8. G
  9. H
  10. I
  11. J
  12. K
  13. L
  14. M
  15. N
  16. O
  17. P
  18. Q
  19. R
  20. S
  21. T
  22. U
  23. V
  24. W
  25. X
  26. Y
  27. Z
  28. #
 
    •  / 
    Zum Artikel