Eingebetteter Speicher: Samsung beschleunigt eUFS auf über 2 GByte/s
Mit eUFS 3.0 wird Samsungs eingebetteter Speichertyp noch einmal beschleunigt. Im Unterschied zum noch nicht einmal zwei Monate alten eUFS 2.1 steigt die Datenrate bei Leseoperationen von 1.000 MByte/s auf nunmehr 2.100 MByte/s. Das ist sogar schneller als die vergleichsweise neuen SD-Express-Karten. Das Limit vom UFS-3.0-Standard, der von der Jedec im Januar 2018 veröffentlicht wurde, ist damit noch nicht erreicht worden. Dieses liegt bei 2,9 GByte/s.
Samsung folgt mit der Ankündigung Toshibas Musterverfügbarkeit für UFS-3.0-Flashspeicher vor wenigen Wochen.
Interessant ist, dass Samsungs eUFS 3.0 bei Schreiboperationen nicht so deutlich beschleunigt werden kann. Der relative Abstand zwischen Schreib- und Leseraten erhöht sich sogar, denn beim Schreiben werden nur 410 statt zuvor 260 MByte/s erreicht. Die IOPS-Werte steigen sogar in noch geringerem Maße, sind allerdings schon auf einem respektablen Wert: Sie steigen von 58.000 und 50.000 IOPS (lesend/schreibend) auf 63.000 respektive 68.000 IOPS. Es kommt also durch das neue Design zu einem Dreher, der im Flashbereich ab und an passiert.
Zunächst kann Samsung nur 512-GByte-Module basierend auf eUFS 3.0 produzieren. Die alten eUFS-2.1-Bausteine gibt es hingegen schon mit 1 TByte Kapazität. Samsung plant, diese Kapazität zusammen mit 256er-Bausteien ab dem zweiten Halbjahr 2019 auszuliefern. Vorher, und zwar innerhalb der nächsten Wochen, wird es noch eUFS-3.0-Module mit 128 MByte Kapazität geben.
Die Unterschiede zwischen den einzelnen UFS-Spezifikationen listet Samsung in einer Tabelle auf(öffnet im neuen Fenster).
- Anzeige Hier geht es zum Samsung Galaxy S25 bei Amazon Wenn Sie auf diesen Link klicken und darüber einkaufen, erhält Golem eine kleine Provision. Dies ändert nichts am Preis der Artikel.