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Eingebetteter Speicher: Samsung beschleunigt eUFS auf über 2 GByte/s

Mit einer neuen UFS-Generation schafft es Samsung, vor allem die Lesegeschwindigkeit noch einmal deutlich zu erhöhen. Bei Schreiboperationen gelingt es dem Unternehmen jedoch nicht, die Abstände vergrößern sich.

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Samsungs Universal-Flash-Storage-Chips werden schneller.
Samsungs Universal-Flash-Storage-Chips werden schneller. (Bild: Samsung)

Mit eUFS 3.0 wird Samsungs eingebetteter Speichertyp noch einmal beschleunigt. Im Unterschied zum noch nicht einmal zwei Monate alten eUFS 2.1 steigt die Datenrate bei Leseoperationen von 1.000 MByte/s auf nunmehr 2.100 MByte/s. Das ist sogar schneller als die vergleichsweise neuen SD-Express-Karten. Das Limit vom UFS-3.0-Standard, der von der Jedec im Januar 2018 veröffentlicht wurde, ist damit noch nicht erreicht worden. Dieses liegt bei 2,9 GByte/s.

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Samsung folgt mit der Ankündigung Toshibas Musterverfügbarkeit für UFS-3.0-Flashspeicher vor wenigen Wochen.

Interessant ist, dass Samsungs eUFS 3.0 bei Schreiboperationen nicht so deutlich beschleunigt werden kann. Der relative Abstand zwischen Schreib- und Leseraten erhöht sich sogar, denn beim Schreiben werden nur 410 statt zuvor 260 MByte/s erreicht. Die IOPS-Werte steigen sogar in noch geringerem Maße, sind allerdings schon auf einem respektablen Wert: Sie steigen von 58.000 und 50.000 IOPS (lesend/schreibend) auf 63.000 respektive 68.000 IOPS. Es kommt also durch das neue Design zu einem Dreher, der im Flashbereich ab und an passiert.

Zunächst kann Samsung nur 512-GByte-Module basierend auf eUFS 3.0 produzieren. Die alten eUFS-2.1-Bausteine gibt es hingegen schon mit 1 TByte Kapazität. Samsung plant, diese Kapazität zusammen mit 256er-Bausteien ab dem zweiten Halbjahr 2019 auszuliefern. Vorher, und zwar innerhalb der nächsten Wochen, wird es noch eUFS-3.0-Module mit 128 MByte Kapazität geben.

Die Unterschiede zwischen den einzelnen UFS-Spezifikationen listet Samsung in einer Tabelle auf.

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