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Chipmaschinenausrüster: ASML demonstriert 250-Watt-EUV-System

Bis zu 125 Wafer pro Stunde: ASML hat mit einer Twinscan-Maschine eine Strahlungsleistung von 250 Watt erreicht. Das ist wichtig für die extrem ultraviolette Belichtung, die beim 7-nm-Verfahren von Chipfertigern eingesetzt wird.

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Ein Twinscan NXE:3400B
Ein Twinscan NXE:3400B (Bild: ASML)

Der niederländische Lithografie-Ausrüster ASML hat ein System gezeigt, das mit extrem ultravioletter Strahlung arbeitet und erstmals eine Quelle mit 250 Watt verwendet. Im Forschungslabor im kalifornischen San Diego erreichte AMSL mit einer aktuellen Maschine vom Typ Twinscan NXE:3400B die entsprechende Photonen-Energie, was einen wichtiger Schritt für die EUV-basierte Fertigung von Mikrochips mit kommenden 7-nm-Nodes darstellt.

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Mit den 250 Watt Strahlungsleistung hat AMSL eine Twinscan NXE:3400B im Hauptquartier in Veldhoven bestückt und demonstrierte den seit langer Zeit in Aussicht gestellten Durchsatz von 125 pro Stunde belichteten Wafern. Wie aus den Zahlen des zweiten Quartals 2017 hervorgeht, hat der Ausrüster bisher 27 EUV-Systeme an Partner wie Intel, Globalfoundries, Samsung und die TSMC ausgeliefert. Drei Twinscan NXE:3400B wurden im vergangenen Dreimonatezeitraum verschickt und acht neue bestellt. Sechs davon sind für Hersteller gedacht, die damit DRAM und Logik fertigen wollen.

Alle großen Hersteller nutzen EUV

Für DRAM ist der Einsatz der Maschinen für das 10-nm-Class-Verfahren gedacht, was alles zwischen 10 nm und 19 nm sein kann. Die Fertiger unterscheiden üblicherweise nur grob und sprechen von 1X, 1Y sowie 1Z. Im Falle von CPUs, GPUs oder SoCs wird extrem ultraviolette Strahlung seitens Intel für den 7-nm-Node verwendet, weshalb die Fab 42 in Chandler im US-Bundesstaat Arizona für sieben Milliarden US-Dollar umgerüstet wird.

Globalfoundries wird EVU für einige Layer bei der 7LP-Belichtung (Leading Performance) verwenden, Samsung setzt die Strahlung ab dem 7LPP-Verfahren (Low Power Plus) ein. Die TSMC plant EVU für den 7+ Prozess.



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Eheran 27. Jul 2017

Ein Ultrahochvakuum von 10^-10mbar hat etwa 10^12 Teilchen pro m³. Kein künstlich...


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