Chipfertigung: 7-Nanometer-Technik arbeitet mit EUV-Lithografie
ASML hat auf dem Investor Day 2014(öffnet im neuen Fenster) seine Pläne für die EUV-Lithografie bekanntgegeben. Der niederländische Hersteller von Belichtungsmaschinen lieferte weitere Systeme an TSMC aus, Intel soll laut ASML bereits vier EUV-Maschinen einsetzen.
Geplant ist die Belichtung mit Extreme Ultra Violet (EUV) für die 10-Nanometer-Fertigung von DRAM-, NAND- und einfachen Chips. Diese soll 2016 starten, große Prozessoren sollen 2018 zusammen mit der 7-Nanometer-Technik folgen. EUV setzt auf extrem kurze Wellenlängen, ohne die weitere Shrinks noch schwieriger werden.
TSMC arbeitete bisher mit zwei NXE:3300B(öffnet im neuen Fenster) genannten Belichtungsmaschinen, nun kommen zwei neuere NXE:3350B hinzu und die beiden vorhandenen NXE:3300B werden aufgerüstet. Intel soll vier NXE:3300B nutzen, einer älteren Präsentation zufolge ist ebenfalls die Aufrüstung zu NXE:3350B geplant.
ASML erwartet pro NXE:3350B einen Wafer-Durchsatz von knapp 1.200 Scheiben pro Tag, wenn die 100-Watt-Version der Belichtungsmaschinen verwendet wird. Der leistungsschwächere 80-Watt-Prototyp erreicht etwas mehr als 900 und die aktuellen 40-Watt-Geräte unter 400 Wafer pro Tag.
Mit nur vier NXE:3350B kann TSMC keine Serienproduktion mit EUV-Lithografie und 10-Nanometer-Technik aufnehmen, bei dieser Strukturgröße soll vielmehr Schritt für Schritt die Abkehr von der Immersionslithografie erfolgen. Auch Intel plant die 10-Nanometer-Fertigung ohne EUV-Lithografie, bereitet sich aber ebenfalls darauf vor, diese Belichtung Art der Belichtung einzusetzen.
Der Roadmap von ASML zufolge soll erst Intels P1276-Prozess ab 2018 mit EUV arbeiten. Hinter dieser Bezeichnung verbirgt sich die 7-Nanometer-Technik für CPUs, zuvor wird Intel weiterhin Immersionslithografie nutzen. Die enge Zusammenarbeit verwundert wenig, hält Intel doch 15 Prozent an ASML.