Chip-Knappheit: USA und Südkorea investieren in Halbleiterfertigung

52 Milliarden US-Dollar hüben, 34 Milliarden US-Dollar drüben: Um die Halbleiterfertigung in den eigenen Ländern zu stärken, fließt viel Geld.

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Wafer von Samsung
Wafer von Samsung (Bild: Samsung)

In den USA und in Südkorea investieren Regierungen und Unternehmen hohe Milliardenbeträge, um die lokale Halbleiterfertigung weiter auszubauen: Die USA wollen Reuters zufolge 52 Milliarden US-Dollar investieren, in Südkorea plant Samsung Foundry, weitere 34 Milliarden US-Dollar in Fabs zu stecken.

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Eine Gruppe von vier US-Senatoren soll vorgeschlagen haben, die genannte Summe über die nächsten fünf Jahre auszuschütten, um die lokale Industrie zu stärken. Präsident Joe Biden hat sich bereits im März 2021 für eine 50-Milliarden-US-Dollar-Investition ausgesprochen, um sich besser gegen China behaupten zu können, das seit Jahren die Fertigung im eigenen Land vorantreibt.

Kein Auftragsfertiger der Welt zahlt neue Fabs komplett selbst, stattdessen werden die Halbleiterwerke stark subventioniert. So hat TSMC den Bau einer Produktionsstätte für 5-nm-Chips im US-Bundesstaat Arizona angekündigt, laut Reuters sollen auch eine Fab für 3 nm und vier weitere Lines/Phasen geplant sein. Die Fab für 5 nm kostet 10 bis 12 Milliarden US-Dollar, die für 3 nm gar 23 bis 25 Milliarden US-Dollar.

Neue Fabs in Südkorea und den USA

Samsung Foundry wiederum stockt sein Investment um weitere 34 Milliarden US-Dollar auf insgesamt 151 Milliarden US-Dollar auf, die bis 2030 fließen sollen. Passend dazu wurde der Bau der neuen Fab P3 im südkoreanischen Pyeongtaek begonnen, das Werk soll im zweiten Halbjahr 2022 fertiggestellt sein. Samsung Foundry will dort DRAM mit 14 nm EUV (1a) und Logikchips mit 5 nm EUV (5LPE/5LPP) fertigen, also mit extrem ultravioletter Strahlung.

In den USA gibt es überdies Pläne, in Austin im Bundesstaat Texas eine weitere Halbleiterproduktionsstätte zu errichten; das Gesamtvolumen soll 17 Milliarden US-Dollar umfassen. Der Standort wäre nicht neu, dort steht bereits die Fab S2. Intern wird die Austin-Fab als Project Silicon Silver bezeichnet, dort könnte das 3GAE-Verfahren mit überarbeiteten Transistoren eingesetzt werden.

In Südkorea investiert auch SK Hynix und will die eigene Fab-Kapazität verdoppeln. Geplant sind Erweiterungen vorhandener Werke für 97 Milliarden US-Dollar, in Yongin sollen weitere 106 Milliarden US-Dollar in vier neue Halbleiterproduktionsstätte gesteckt werden.

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