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China: CXMTs HBM3-Ausbeute soll katastrophal sein

Schneller Stapelspeicher ist zentral für Chinas KI-Ambitionen. Der bislang einzige heimische Hersteller, CXMT, muss aber den Großteil entsorgen.
/ Johannes Hiltscher
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HBM2-Stapel auf einer Nvidia Tesla P100 zeigen, wie dünn die Speicher-Dies sind. (Bild: Fritzchens Fritz, Flickr)
HBM2-Stapel auf einer Nvidia Tesla P100 zeigen, wie dünn die Speicher-Dies sind. Bild: Fritzchens Fritz, Flickr / CC0 1.0

High Bandwidth Memory (HBM) ist eines der Produkte, bei denen die US-Regierung eine Einfuhr in die Volksrepublik China verbietet. Der schnelle Speicher ist allerdings eine zentrale Komponente bei KI-Hardware für Rechenzentren, die eine Reihe chinesischer Firmen entwickelt. Wie die südkoreanische Wirtschaftszeitung The Chosun berichtet(öffnet im neuen Fenster), soll CXMT bei seiner HBM-Fertigung aber massive Probleme mit der Ausbeute (Yield) haben.

Dem Bericht zufolge erreicht Changxin Memory Technologies, mittlerweile der viertgrößte DRAM-Hersteller weltweit, bei HBM3 lediglich eine Ausbeute von knapp 25 Prozent. Hier sollte im ersten Halbjahr 2026 die Serienfertigung mit acht gestapelten Speicher-Dies (8-Hi) starten, der Hersteller habe die Ausbeute aber kaum steigern können. Für eine wirtschaftliche Fertigung setzen andere Speicherhersteller eine Ausbeute von 80 Prozent an.

Dass eine neue HBM-Generation mit niedriger Ausbeute startet, ist auch bei Micron, Samsung und SK Hynix nicht ungewöhnlich. Allerdings schaffen es diese Hersteller, innerhalb weniger Monate auf eine Ausbeute von 80 Prozent oder mehr zu kommen. Samsung etwa erreichte im Februar 2026 bei HBM4 eine Ausbeute von unter 60 Prozent, steigerte sie aber binnen sechs Monaten auf 80 Prozent.

Bei zentralem Fertigungsschritt fehlt CXMT Erfahrung

The Chosun beruft sich auf einen leitenden Mitarbeiter eines Herstellers von Maschinen für die Halbleiterfertigung. Dieser sei mit der Situation bei CXMT vertraut.

Laut der Aussage dieses Mitarbeiters funktioniere CXMTs für HBM genutzter G4-Prozess gut. Das Unternehmen habe vielmehr zwei HBM-spezifische Probleme. Einerseits sei die Ausbeute an Speicher-Dies bereits niedriger, da diese größer seien als reguläre (LP)DDR-Dies und strengere Anforderungen erfüllen müssten. Das zentrale Problem seien allerdings die Durchkontaktierungen (Through Silicon Vias, TSVs). Hier haben andere Hersteller über zehn Jahre Erfahrung, CXMT hatte erst 2024 mit der HBM-Fertigung begonnen.

Und trotz dieser langjährigen Erfahrung kam auch SK Hynix 2024 bei der TSV-Herstellung nur auf eine Ausbeute zwischen 40 und 60 Prozent. CXMT soll zwar mit weniger TSVs arbeiten – mit rund 3.000 sollen es sogar weniger als bei Samsungs HBM2 mit über 5.000 sein – dennoch brauche es viel praktische Erfahrung, um den komplexen Prozess zu beherrschen.

Denn bei der HBM-Fertigung kann viel schiefgehen. Die Wafer mit den Speicher-Dies werden auf eine Stärke von wenigen Dutzend Mikrometern abgeschliffen, was sie anfällig für Verformungen beim Thermokompressionsbonding macht. Zudem ist sowohl bei der Herstellung der TSVs als auch beim Bonding der Dies hohe Präzision erforderlich, damit die Kontakte korrekt positioniert sind. Und selbst dann können Verbindungen noch fehlerhaft sein. Auch das Füllen der TSV-Löcher mit Kupfer erfordert viel Prozesswissen, um Defekte zu vermeiden.

Eine fehlerhafte Schicht macht dabei den kompletten Stapel unbrauchbar. Entsprechend steigt die Schwierigkeit, je höher der Stapel wird. Eigentlich wollte CXMT 2027 auf 12-Hi erhöhen, was angesichts der Probleme aber unwahrscheinlich erscheint. Chinesische Hersteller von KI-Hardware sollen aber auch weiter über den Schwarzmarkt HBM kaufen. Allerdings sind auch sie vermehrt von Knappheiten betroffen, weshalb Huawei und Cambricon bereits die Preise ihrer Hardware um 20 bis 30 Prozent angezogen haben sollen(öffnet im neuen Fenster).


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