Automotive-Halbleiter: STMicro erweitert Fabs und baut SiC-Megawerk
In Europa soll bis 2025 ein gewaltiger Standort für Rohmaterial entstehen, damit STMicro den Eigenbedarf für SiC zu 40 Prozent decken kann.
Der französische Halbleiterhersteller STMicroelectronics hat seine Investitionspläne für die kommenden Jahre offengelegt (PDF): 2022 sollen drei Fabs für die Produktion von Logikchips und Siliziumkarbid-basierter Leistungselektronik für Automotive erweitert werden. Bis 2025 soll in Europa zudem ein Rohmaterial-Megawerk entstehen.
STMicro hat 2021 drastisch zugelegt (PDF): Der Umsatz stieg von 10,219 auf 12,761 Milliarden US-Dollar und der Gewinn hat sich von 1,106 auf 2,0 Milliarden US-Dollar sogar nahezu verdoppelt; höhere Absatzzahlen sowie eine viel bessere operative Marge machen es möglich. Folgerichtig wird investiert - geplant sind 3,4 bis 3,6 Milliarden US-Dollar im laufenden Jahr.
Hiervon entfallen rund 2,1 Milliarden US-Dollar auf den Ausbau von drei Fabs, weitere 900 Millionen US-Dollar werden für das neue 300-mm-Werk im italienischen Agrate Brianza aufgewendet. Ein Teil des Geldes fließt überdies in strategische Entwicklungen für Galliumnitrid-Technologie (GaN) und die Beschaffung von Siliziumkarbid-Rohmaterial (SiC).
Rohmaterial-Megawerk in Europa
Bei den drei Fabs handelt es sich um eine für 300-mm-Digital-Wafer im französischen Crolles, für 200-mm-Analog-Wafer in Singapur und für 150-mm-SiC-Wafer im italienischen Catania. In Europa soll daher passend dazu ein SiC-Megawerk entstehen: "Unser Ziel ist es, bis 2024 oder 2025 den Bedarf an Epitaxie und Rohmaterial zu 40 Prozent selbst zu decken", sagte STMicros CEO Jean-Marc Chery bei der Besprechung der Quartalszahlen (siehe Transkript).
Ein solcher Ausbau der Kapazitäten ist notwendig, denn für 2022 ist der Halbleiterhersteller bereits komplett ausgebucht und der Bestellrückstand liegt mittlerweile bei 18 Monaten. Die Umstellung auf 300-mm-Wafer wie bei der Fab R3 in Agrate war daher wichtig, denn damit lassen sich mehr Chips produzieren. Im schwedischen Norrköping wurden 2021 zudem erste 200-mm-SiC-Wafer hergestellt.
Die Automotive-Industrie setzt auf vergleichsweise grobe Verfahren, laut CEO Chery machen 90 nm bis 60 nm das nächste Jahrzehnt noch über 85 Prozent der Kapazität aus. Bosch etwa produziert in der RB300 in Dresden auf 300-mm-Wafern mit 130 nm, wird mittelfristig aber auf feinere Nodes wechseln.
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