Zum Hauptinhalt Zur Navigation

Auftragsfertiger: TSMC plant 10-Nanometer-Fertigung für Ende 2015

Nächstes Jahr möchte TSMC Chips mit 10 Nanometer Strukturbreite herstellen. Die Vorserienproduktion des aktuellen 16-Nanometer-FinFET-Plus-Prozesses ist gerade gestartet.
/ Marc Sauter
12 Kommentare News folgen (öffnet im neuen Fenster)
300-Millimeter-Wafer (Bild: TSMC)
300-Millimeter-Wafer Bild: TSMC

TSMCs Präsdent C.C. Wei hat bei der Besprechung der Zahlen des Rekordquartals den aktuellen Stand der Fertigungsprozesse erläutert ( PDF(öffnet im neuen Fenster) ): Die 20-Nanometer-Serienfertigung läuft seit Monaten, ein Großteil der Kapazität wird für Apples A8 genutzt. Die Risk Production des 16-Nanometer-FinFET-Prozesses (16FF) hatte TSMC im November 2013 begonnen , nun erfolgte der Start der Vorserienproduktion für 16FF+.

16 Nanometer FinFET Plus soll verglichen mit dem bisherigen 16-Nanometer-FinFET-Prozess die Leistungsaufnahme der damit gefertigten Chips um bis zu 35 Prozent verringern, verglichen mit dem planaren 20-Nanometer-Prozess sollen es 50 Prozent sein oder bei gleicher Leistungsaufnahme eine 40 Prozent höhere Geschwindigkeit. Laut Wei arbeiten über 1.000 Ingenieure an 16 Nanometer FinFET Plus, die Chipausbeute (yield) ist deutlich besser als erwartet und er geht von knapp 60 Tape-outs aus.

Unter einem Tape-out versteht die Halbleiterindustrie die Vorlage für die Maske der Chips, welche in weiteren Schritten gefertigt und optimiert werden. Basierend auf diesen frühen Versionen soll Ende des zweiten oder Anfang des dritten Quartals 2015 die Serienfertigung von 16 Nanometer FinFET Plus starten.

Die weitere Planung sieht vor, dass TSMC zusammen mit seinen Partnern im vierten Quartal 2015 erste Tape-outs mit Chips im 10-Nanometer-Verfahren erreichen wird, die Vorserienproduktion soll noch 2015 anlaufen. Intel plant für nächstes Jahr ebenfalls mit 10-Nanometer-Technik , Globalfoundries und Samsung arbeiten derzeit in Kooperation an 14 Nanometer FinFET in Serie.


Relevante Themen