Auftragsfertiger: TSMC möchte bei der 10-nm-Technik Erster sein
TSMC hat auf der Design Automation Conference 2015 in San Francisco einen Wafer mit im 10-nm-FinFET-Verfahren hergestellten Testchips gezeigt(öffnet im neuen Fenster). Damit ist der Auftragsfertiger einige Wochen später dran als Samsung: Die Koreaner hatten schon im Mai einen frühen Wafer-Prototyp(öffnet im neuen Fenster) öffentlich ausgestellt.
Künftig möchte hingegen TSMC Erster sein und kündigte an, Samsung bei der Fertigstellung des 10-nm-FinFET-Prozesses überholen zu wollen – der Auftragsfertiger plant mittlerweile die Serienfertigung für Ende 2016 statt für 2017, wenngleich TSMC mit kleinen Chips starten wird.
Hintergrund der 10-nm-Eile dürfte das 16-nm-FinFET-Verfahren sein: TSMC bietet als einziger Auftragsfertiger einen planaren 20-nm-Prozess an, der vor allem von Apple und Qualcomm genutzt wird; für 16nmFF wurden daher weniger Mittel investiert – Nvidias Pascal ist einer der wenigen bekannten Chips, die damit gefertigt werden. Die durch Apple-Aufträge erwirtschafteten mehrmaligen Rekordumsätze und -gewinne hat TSMC in die 10-nm-FinFET-Fertigung gesteckt, die nun recht zügig abgeschlossen werden soll. Die Vorserienproduktion ist für 2015 geplant, die Serienfertigung soll 2016 anlaufen.
Damit könnte TSMC Samsung zuvorkommen, das seine 14-nm-FinFET-Produktion (genauer LPE, Low Power Early) für die hauseigenen Exynos- und mehrere Apple-Chips nutzt. In den nächsten Monaten, sobald LPP (Low Power Plus) serienreif ist, dürfte sich AMD mit seinen Zen-basierten Prozessoren und der Arctic Islands genannten Grafikkartengeneration hinzugesellen. Folgerichtig hat Samsung hier Ressourcen investiert, scheint aber mit der 10-nm-FinFET-Technik ebenfalls gut voranzukommen.
Der letzte große Fertiger ist Intel, wenngleich bei modernen Prozessoren nur für eigene Chips. Der Skylake-Nachfolger Cannonlake soll im zweiten Halbjahr 2016 erscheinen, es ist daher davon auszugehen, dass Intel bis Frühjahr 2016 die 10-nm-FinFET-Fertigung zur Serienreife gebracht haben wird.
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