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Auftragsfertiger: Samsungs 11LPP eignet sich für Mittelklasse-SoCs

Mit dem 11 nm Low Power Plus genannten Verfahren bietet Samsung ab 2018 einen verbesserten Herstellungsprozess an. Er ist für Smartphone-Chips gedacht und hat mehr mit 10 nm denn mit 14 nm zu tun.

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Älterer Wafer
Älterer Wafer (Bild: Samsung)

Samsung hat das 11LPP-Fertigungsverfahren (11 nm Finfet Low Power Plus) angekündigt und sich zum Fortschritt bei der Produktion mit extrem ultravioletter Strahlung (EUV) geäußert. Mit 11LPP hat Samsung einen Prozess entwickelt, der nominell zwischen 14LPP und 10LPE (Low Power Early, die Vorstufe zu LPP) angesiedelt ist. Wie der Hersteller jedoch selbst sagt, handelt es sich dabei um 10-nm-Technik, da keine 20-nm-BEoL mehr verwendet wird.

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Laut den Südkoreanern sollen mit 11LPP gefertigte Chips eine um 15 Prozent höhere Schaltgeschwindigkeit bei einer 10 Prozent verringerten Fläche verglichen mit 14LPP aufweisen. Für 10LPE wiederum nennt Samsung eine um 30 Prozent geringere Chipfläche verglichen mit 14LPE, dabei soll entweder die Geschwindigkeit um 27 Prozent steigen oder die Leistungsaufnahme um 40 Prozent sinken. Gedacht ist 11LPP für Systems-on-a-Chip, die in Oberklasse-Smartphones eingesetzt werden. Die Serienfertigung soll im ersten Halbjahr 2018 für Kunden verfügbar sein.

EUV mit 7LPP ist 'on track'

Neben 11LPP hat Samsung auch Neuigkeiten zu EUV zu vermelden: Die Belichtung mit extrem ultravioletter Strahlung sei im Zeitplan für 7LPP im zweiten Halbjahr 2018. Innerhalb der vergangenen drei Jahre hat Samsung eigenen Aussagen zufolge rund 200.000 Wafer mit EUV belichtet, aktuell würde die Ausbeute (yield) bei 256 MBit fassenden SRAM-Blöcken bei 80 Prozent liegen.

Samsungs Roadmap umfasst neben 11LPP noch viele weitere Nodes für die kommenden Jahre: 10LPE, 10LPP, 8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP und 4LPP. Ab 7LPP wird EUV eingesetzt, ab 5LPP wird eine MBCFETTM-Struktur (Multi Bridge Channel Fet) verwendet.



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DY 12. Sep 2017

da es nicht einen so großen Sprung suggeriert.


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