Auftragsfertiger: Samsung startet Serienproduktion des 14-nm-FinFET-Prozesses

Wenige Monate nach Intel hat Samsung die Serienfertigung von Chips mit 14-nm-FinFET-Technik begonnen. Der erste Application Processor sei ein sehr fortschrittlicher - und er kommt nicht von Apple.

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14-nm-FinFET-Wafer
14-nm-FinFET-Wafer (Bild: Samsung)

Samsung hat auf dem Investor Forum 2014 den Start der 14-nm-FinFET-Serienfertigung angekündigt. Der in Kooperation mit Globalfoundries vorangetriebene Prozess ist neben Intels 14-nm-FinFET-Technik die derzeit modernste Fertigung am Markt.

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Das erste Produkt auf Basis des 14-nm-FinFET-Verfahrens sei Samsungs bisher fortschrittlichster Application Processor. Gemeint ist damit ein noch nicht angekündigter Exynos-Chip, denn technisch aufwendigere Prozessoren entwickelt Samsung derzeit nicht.

  • Gemeinsamer 14-nm-FinFET-Prozess von Globalfoundries und Samsung
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Gemeinsamer 14-nm-FinFET-Prozess von Globalfoundries und Samsung

Die 14-Nanometer-FinFET-Fertigung soll verglichen mit dem übersprungenen planaren 20-Nanometer-Verfahren eine um 35 Prozent verringerte Leistungsaufnahme oder 20 Prozent höhere Taktfrequenzen bei jeweils 15 Prozent weniger Die-Fläche ermöglichen.

Samsungs Vizepräsident Benjamin Suh sagte, der Prozess und die Ausbeute (yield) seien wie erwartet und ähnlich wie bei bisherigen Nodes. Genaue Zahlen nannte er nicht, diese sind ein Geschäftsgeheimnis jedes Auftragsfertigers, profitabel aber sei der Prozess. Durch den Zusammenschluss mit Globalfoundries habe Samsung das 14-nm-FinFET-Verfahren schneller und besser entwickeln können.

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Der Exynos-Chip soll laut Suh wahrscheinlich sehr früh 2015 ausgeliefert werden, das volle Volumen der Serienproduktion sei in einigen Monaten erreicht. Mehrere Kunden hätten den 14-nm-FinFET-Prozess bereits adaptiert, neben Systems-on-a-Chip stehen Premium-High-End-Produkte auf dem Plan.

Einer der bestätigten Abnehmer ist Apple, auch AMD dürfte künftig CPUs und GPUs in Auftrag geben - beispielsweise Zen.

  • 2013 war die Ausbeute von Broadwell noch zu gering, aber....  (Folie: Intel)
  • ... jetzt ist alles im grünen Bereich.  (Folie: Intel)
  • Die Air Gaps sitzen zwischen den Interconnects. (Folie: Intel)
  • Bei nominal gleicher Strukturbreite sieht sich Intel dennoch führend. (Folie: Intel)
  • Die Transistordichte hat sich mehr als verdoppelt. (Folie: Intel)
  • 7 Nanometer sind schon in Planung. (Folie: Intel)
  • Alles breiter als 14 Nanometer (Folie: Intel)
  • Auch beim SRAM für die Caches wurde alles kleiner. (Folie: Intel)
  • Die Finnen sind enger und länger. (Folie: Intel)
  • Immer drei Jahre schneller (Folie: Intel)
... jetzt ist alles im grünen Bereich. (Folie: Intel)

Intel hatte die Serienproduktion der 14-nm-FinFET-Technik im zweiten Quartal 2014 gestartet, zuvor erachtete der Hersteller die Ausbeute als zu gering. Erste Vorserienversuche begannen schon im Frühjahr 2013, danach gab es aber viele Probleme, welche die Serienproduktion lange verzögerten.

TSMC wiederum hatte den Start der Vorserienproduktion des 16-Nanometer-FinFET-Plus-Prozesses im Oktober angekündigt.

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