Auftragsfertiger: Samsung kündigt 10-Nanometer-Technik an
Kleinere Strukturen für Smartphone- und Wearable-Chips: Samsungs neuer 10-nm-FinFET-Prozess soll die Geschwindigkeit steigern und die Leistungsaufnahme verringern. Intels bisheriger Technikvorsprung bei der Halbleiterfertigung könnte weiter schrumpfen.
Kinam Kim, Chef der Samsung-Halbleitersparte, hat das 10-nm-FinFET-Verfahren angekündigt. Kim nannte in seiner Keynote-Ansprache auf der International Solid State Circuits Conference 2015 (ISSCC) zwar keine Details, die frühe Bekanntgabe dürfte aber auf einen vergleichsweise schnellen Start hinweisen.
Seit November 2014 produziert Samsung den Exynos 7 Octa alias Exynos 7420 für das Galaxy S6 und Apples A9 für das nächste iPhone im 14-nm-FinFET-Verfahren. Außer Samsung fertigt nur Intel Prozessoren mit dieser geringen Strukturgröße. Der Hersteller gibt an, dass seine Implementierung für die Broadwell-Chips etwas besser sei, allerdings hatte diese Startschwierigkeiten.
Samsung dürfte wie Intel versuchen, das 10-nm-FinFET-Verfahren ohne EUV-Lithografie und weiterhin mit Immersionslithografie zu stemmen. Intel plant erste 10-nm-FinFET-Chips für Ende 2015, Konkurrent TSMC sprach zuletzt von 2016. Samsung dürfte in einem ähnlichen Zeitfenster erste Chips vorweisen können, eventuell kurz nach oder gar vor Intel.
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