Auftragsfertiger: Samsung kündigt 10-Nanometer-Technik an

Kleinere Strukturen für Smartphone- und Wearable-Chips: Samsungs neuer 10-nm-FinFET-Prozess soll die Geschwindigkeit steigern und die Leistungsaufnahme verringern. Intels bisheriger Technikvorsprung bei der Halbleiterfertigung könnte weiter schrumpfen.

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Wafer mit 32-nm-Chips
Wafer mit 32-nm-Chips (Bild: Samsung)

Kinam Kim, Chef der Samsung-Halbleitersparte, hat das 10-nm-FinFET-Verfahren angekündigt. Kim nannte in seiner Keynote-Ansprache auf der International Solid State Circuits Conference 2015 (ISSCC) zwar keine Details, die frühe Bekanntgabe dürfte aber auf einen vergleichsweise schnellen Start hinweisen.

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Seit November 2014 produziert Samsung den Exynos 7 Octa alias Exynos 7420 für das Galaxy S6 und Apples A9 für das nächste iPhone im 14-nm-FinFET-Verfahren. Außer Samsung fertigt nur Intel Prozessoren mit dieser geringen Strukturgröße. Der Hersteller gibt an, dass seine Implementierung für die Broadwell-Chips etwas besser sei, allerdings hatte diese Startschwierigkeiten.

Samsung dürfte wie Intel versuchen, das 10-nm-FinFET-Verfahren ohne EUV-Lithografie und weiterhin mit Immersionslithografie zu stemmen. Intel plant erste 10-nm-FinFET-Chips für Ende 2015, Konkurrent TSMC sprach zuletzt von 2016. Samsung dürfte in einem ähnlichen Zeitfenster erste Chips vorweisen können, eventuell kurz nach oder gar vor Intel.

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ms (Golem.de) 26. Feb 2015

Früher entsprach die Gate-Länge grob der nm-Angabe ... aber seit einigen Jahren geben die...

Ach 26. Feb 2015

Erst mal schauen was die EUV-Lithografie bringt, wenn sie denn, und über 15 Jahre nachdem...



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