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Luftbild der Fab 8 im US-Bundesstaat New York
Luftbild der Fab 8 im US-Bundesstaat New York (Bild: Globalfoundries)

Auftragsfertiger: Auch bei Globalfoundries läuft der 14-nm-Prozess

Luftbild der Fab 8 im US-Bundesstaat New York
Luftbild der Fab 8 im US-Bundesstaat New York (Bild: Globalfoundries)

Nicht nur Samsung in Südkorea produziert Chips mit 14-nm-Technik, sondern auch Globalfoundries in den USA. Deren Partnerschaft ist der Grund, warum sich Apple für das nächste iPhone vorerst vom Halbleiterhersteller TSMC abgewendet hat.

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Überraschend hat der staatliche Investor hinter Globalfoundries, die Mubadala Development Company mit Sitz in den Vereinigten Arabischen Emiraten, den Start der 14-nm-FinFET-Produktion angekündigt. Globalfoundries kooperiert seit Frühling 2014 mit Samsung, das eigene 14XM-Verfahren wurde eingestampft. Zu den ersten Chips, die im US-Bundesstaat New York in Globalfoundries' Fab 8 vom Band gelaufen sein könnten, dürfte der Exynos 7420 des Galaxy S6 (Edge) zählen.

Samsung hatte die 14-nm-FinFET-Produktion im November 2014 in Südkorea gestartet und nur wenige Wochen später bekanntgegeben, Apples A9-Chip für das nächste iPhone herzustellen. Bisher sah es so aus, als ob Samsung in Austin, Texas und in Hwaseong, Südkorea die 14-nm-FinFET-Fertigung laufen lässt. Um das Volumen für den A9 und den Exynos zu erreichen, brauchte es unserer Einschätzung nach mehr Kapazität.

Eine Analyse von Chipworks legte bereits nahe, dass die 14-nm-FinFET-Produktion auch bei Globalfoundries in den USA gestartet ist - wie von Mubadala mittlerweile bestätigt. Mit drei Fabs (und später eventuell einer vierten, ebenfalls in Südkorea) dürften Globalfoundries und Samsung eine ausreichend hohe Kapazität bereitstellen können, weswegen Apple zugegriffen hat. Ein Teil der A9-Chips könnte auch von TSMC gefertigt werden: Deren 16FF+ genanntes Verfahren sollte mittlerweile serientauglich sein.

  • Mit 14 nm sieht sich Intel vor der Konkurrenz und deren 14nm-/16nm-Prozessen, pickt sich aber die Werte etwas heraus. (Bild: Intel)
  • Vergleich der Transistor- und Interconnect-Abstände; bei Samsung ist 14 nm LPE statt LPP und bei TSMC 16FF statt 16FF+ angegeben. (Bild: Intel)
  • Globalfoundries/Samsung bieten 14 nm als LPP und LPE an; hinter 28 nm Custom verbirgt sich 28 nm SHP für Kaveri und Carrizo. (Bild: Globalfoundries)
  • Erste SRAM-Zelle mit 0,0500 µm² (Bild: Intel)
  • Die Kosten pro mm² steigen, die pro Transistor sinken. (Bild: Intel)
  • Die nahe Zukunft gehört Die-Stacking, vertikal wie horizontal. (Bild: Intel)
  • Der verworfene 14XM-Prozess fertigt wie 14nmFinFET und 16FF nur die Transistoren in 14nm. (Bild: Globalfoundries)
  • Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)
Globalfoundries/Samsung bieten 14 nm als LPP und LPE an; hinter 28 nm Custom verbirgt sich 28 nm SHP für Kaveri und Carrizo. (Bild: Globalfoundries)

Globalfoundries' und Samsungs 14-nm-FinFET-Technik und TSMCs 16FF+ sind nicht direkt mit Intels 14-nm-FinFET-Verfahren vergleichbar: Keine Struktur ist 14 nm breit oder lang, nur bei Intel aber wird der komplette Chip mit der kleinen Struktur gefertigt - bei allen anderen einzig die Transistoren selbst, nicht aber die Metal Layer genannten Interconnects.


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Abseus 08. Apr 2015

Die Größenangabe bezeichnet eigentlich die Breite vom Transistorgate. Aber gut ist...



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