850 Evo v2 im Test: Samsungs neue SSDs sind kleiner und doch gleich groß

Die beliebten SSDs sind überarbeitet worden: Samsungs 850 Evo v2 nutzen neuen 3D-Flash-Speicher. Die Geschwindigkeit bleibt gleich, die Leistungsaufnahme sinkt und die Platinen schrumpfen.

7. April 2016 um 09:29 Uhr / Von Marc Sauter

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Samsung 850 Evo v2 (Bild: Martin Wolf/Golem.de) — Samsung 850 Evo v2 Bild: Martin Wolf/Golem.de

Altbekannte SSD, neuer Speicher: Samsung hat die populäre Modellreihe 850 Evo aktualisiert und mit der dritten Generation an geschichtetem 3D-NAND-Flash ausgestattet. Die überarbeiteten 850 Evo sind anhand der Verpackung mit dem blauen V im Schriftzug V-NAND SSD erkennbar. Wir haben uns die 250-, die 500-GByte- und die 1-TByte-Version der 850 Evo v2 genauer angeschaut.

Bild 1/27: Asus Z170-Deluxe, Core i7-6700K, 2 x 8 GByte DDR4-2133, Seasonic Platinum Fanless 520W; Windows 10 x64

Bild 23/27: Links die v1, rechts die v2 der 850 Evo (Foto: Martin Wolf/Golem.de)

Bild 24/27: 850 Evo v2 mit 250 und 500 GByte (Foto: Martin Wolf/Golem.de)

Bild 25/27: Die Platinen der neuen 850 Evo v2 sind winzig. (Foto: Martin Wolf/Golem.de)

Bild 26/27: Oben: 850 Evo v2 und v1 mit 500 GByte; unten: 850 Evo v2 und v1 mit 250 GByte (Foto: Martin Wolf/Golem.de)

Bild 27/27: Oben: 850 Evo v1 und v2 mit 500 GByte; unten: 850 Evo v1 und v2 mit 250 GByte (Foto: Martin Wolf/Golem.de)

Angekündigt hatte Samsung die Neuauflage der SSDs im vergangenen Spätsommer auf dem Flash Memory Summit. Dort erklärte der Hersteller, dass die Flash-Drives auf den einen Tag zuvor vorgestellten V-NAND der dritten Generation umgestellt würden. Das V steht für vertikal, da der Flash-Speicher aus 48 statt wie bisher aus 32 Lagen geschichteter Zellen besteht. Jede davon sichert weiterhin drei Bit, es handelt sich also um Triple Level Cells (TLC). Ein V-NAND-v3-Die fasst 256 statt 128 GBit, was 32 statt 16 GByte entspricht.

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Samsung spricht von einer doppelten Leserate und einer um den Faktor 2,2 gestiegenen Schreibgeschwindigkeit verglichen mit der v2-Generation. Zudem soll sich die Leistungsaufnahme pro Lese- und Schreiboperation um 63 und 54 Prozent verringert haben. Gerade die höhere Datenrate ist wichtig, denn bedingt durch die doppelte Kapazität von 256 statt 128 GBit pro Siliziumplättchen verbaut Samsung in den 850 Evo v2 nur noch die Hälfte an Dies.

Samsung 850 Evo v2
	850 Evo v2 mit 250 GByte	850 Evo v2 mit 500 GByte	850 Evo v2 mit 1 TByte
Controller	MGX, 4 Kanäle	MGX, 4 Kanäle	MGX, 4 Kanäle
DRAM-Cache	512 MByte LPDDR3	512 MByte LPDDR3	1 GByte LPDDR3
NAND-Packages	1 x (8 x 256 GBit)	2 x (8 x 256 GBit)	4 x (8 x 256 GBit)
SLC-Turbowrite	3 GByte	6 GByte	12 GByte
Seq. Lesen	Bis zu 540 MB/s	Bis zu 540 MB/s	Bis zu 540 MB/s
Seq. Schreiben	Bis zu 520 MB/s	Bis zu 520 MB/s	Bis zu 520 MB/s
Schreiben ohne TW	Bis zu 300 MB/s	Bis zu 500 MB/s	Bis zu 520 MB/s
TBW	75 TByte	150 TByte	150 TByte

Vorerst werden nur die SSDs mit 250 sowie 500 GByte und 1 TByte auf den neuen V-NAND v3 umgestellt. Bei der 128-GByte-Version wären zu wenig Speicherchips vorhanden, um die beworbene Geschwindigkeit zu erreichen, die 2-TByte-Evo soll in einigen Monaten aktualisiert werden. Allerdings bietet Samsung die Portable SSD T3 als 2-TByte-Version mit V-NAND v3 an. Mittelfristig sollen die 850 Evo v2 auch mit 4 TByte erscheinen. Theoretisch wären im 2,5-Zoll-Format bei Vollbestückung einer großen Platine 8 TByte möglich.

Für 250 und 500 GByte reicht ein winziges Board aus, wie unsere Fotos der geöffneten SSDs zeigen. Erst bei 1 TByte vergrößert Samsung die Platine.

Benchmarks des V-NAND v3

Für den Test standen uns die 850 Evo v2 mit 250 und 500 GByte sowie 1 TByte und die ursprüngliche 850 Evo mit 250 und 500 GByte zur Verfügung. Von früheren Tests ist uns allerdings der innere Aufbau der älteren Samsung-SSD mit 1 TByte bekannt. Auffällig ist bei den neuen Modellen die kürzere und mit weniger Flash-Packages versehene Platine, was bei 256 statt 128 GBit pro Die nicht verwundert. Controller und DRAM-Cache hingegen sind identisch.

Auf der Platine der alten 850 Evo mit 250 GByte sitzen zwei Chipgehäuse mit jeweils acht Dies, auf der neuen nur ein Package. Bei der Version mit 500 GByte wird das noch deutlicher: Die ältere 850 Evo basiert auf einer Platine mit vier Chipgehäusen, die überarbeitete SSD nutzt das gleiche Board wie das 250-GByte-Modell, allerdings mit 16 statt 8 Dies pro Package. Bei der 1-TByte-Version wiederum sind nur vier statt acht Chipgehäuse verlötet, die eingesetzte Platine der ursprünglichen 850 Evo ist erneut größer.

Für Samsung bedeutet das geringere Produktionskosten, für Endkunden haben die geringeren Ausmaße des Innenlebens keine Vorteile. Allerdings zeigen unsere Messungen, dass der neue V-NAND v3 sparsamer bei Lese- und Schreiboperationen agiert, so wie von Samsung propagiert. Das überarbeitete 250- und das 500-GByte-Modell benötigen verglichen mit den bisherigen Varianten gut ein Watt weniger – also etwa ein Drittel. In einem Desktop-System mag das irrelevant sein, in einem älteren Notebook ohne M.2-Slot hingegen dürfte die Akkulaufzeit zumindest ein bisschen besser ausfallen.

Über alle Messwerte hinweg sind die neuen 850 Evo v2 so schnell wie die ursprüngliche Version, in ein paar Tests sogar ein bisschen flotter. Samsungs Aussage, Kunden erhielten die gleiche Geschwindigkeit, ist ergo korrekt. Da die Turbo-Write-Technik verwendet wird, schreiben die 500-GByte-Modelle größere Datenmengen zügiger. Der Pseudo-SLC-Puffer fasst weiterhin 3 GByte bei den 250-GByte-Varianten und 6 GByte bei den 500-GByte-Pendants.

Übersteigt die Menge der zu schreibenden Daten den Cache, werden die TLCs regulär angesprochen und die Geschwindigkeit sinkt. In der Praxis ist das beispielsweise beim Umkopieren eines Spieleordners der Fall.

Verfügbarkeit und Fazit

Samsung verkauft die 850 Evo v2 mit 250 sowie 500 GByte und 1 TByte. Die neuen Modelle sind an ihrer Verpackung erkennbar: Statt eines orangfarbenen Schriftzugs "Powered by 3D V-NAND Technology" prangt darauf "V-NAND SSD" mit blauem V. Im Onlinehandel sind die v2-Versionen nicht entsprechend gekennzeichnet, da Samsung keine Änderung an den Modellnummern vorgenommen hat. Die 850 Evo in M.2- und mSATA-Bauweise werden in den kommenden Wochen ebenfalls auf V-NAND v3 umgestellt.

Die Haltbarkeit der neuen 850 Evo v2 entspricht den bisherigen Modellen: Samsung nennt 75 TByte (250 GByte) und 150 TByte (500 GByte sowie 1 TByte) an geschriebenen Daten im Garantiezeitraum von fünf Jahren.

Fazit

Manchmal ist weniger mehr: Samsungs überarbeitete 850 Evo mit der dritten Generation des hauseigenen 3D-Flash-Speichers sind in allen Belangen gleich gut oder besser als die ursprünglichen Versionen der SSDs. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten entsprechen mit und ohne Pseudo-SLC-Puffer denen der bisherigen Modelle, die neuen Flash-Drives haben bei kleinen Daten allerdings geringfügige Vorteile. In der Praxis wirkt sich das jedoch nicht aus.

Interessanter finden wir die geringere Leistungsaufnahme, was bei den Varianten im M.2-Format für Notebooks oder HTPCs relevant ist. Lesen oder schreiben die 850 Evo v2 Daten, benötigen sie dafür rund ein Watt weniger als die Modelle mit der vorherigen V-NAND-Generation. Wer zudem eine SSD mit hoher Kapazität erwerben möchte, der dürfte sich über die in den kommenden Wochen erscheinende 850 Evo v2 mit 4 TByte Speicherplatz freuen.

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