3D-NAND: Intels Flash-Chips verdreifachen den SSD-Speicherplatz
Intel und Micron haben die gemeinsam entwickelte erste Generation von 3D-NAND-Flash vorgestellt. Die bietet wie vor einigen Monaten bereits angedeutet 384 GBit oder 48 GByte Kapazität pro Die. Bisherige Lösungen von Samsung sowie Sandisk und Toshiba(öffnet im neuen Fenster) liefern 128 GBit oder 16 GByte pro Die.
Die neuen Flash-Dies von Intel und Micron werden in Singapur gefertigt. In jedem Die sind 32 Lagen von Speicherzellen übereinander gestapelt, Sandisk und Toshiba schichten 48 Lagen. Intel und Micron setzen wie Samsung auf TLCs: Sogenannte Triple-Level-Cells speichern drei Bits, also acht Zustände. Ihre Lebensdauer ist im Mittel jedoch geringer als bei Single-Level- und Multi-Level-Cells mit zwei oder vier Bits.
Ausgehend von 384 GBit oder 48 GByte Kapazität pro Die planen Intel, Micron und deren Partner SSDs im M.2-Format mit 3,5 TByte und mehr. Das dürfte jedoch nur bei M.2-SSDs in 22110- oder 2280-Bausweise klappen, da hier acht sowie sechs Packages mit bis zu 16 Dies darin Platz finden. Die derzeit größten M.2-SSDs erreichen eine Kapazität von 1 TByte, technisch wäre mehr möglich.
SSDs im heute üblichen 2,5-Zoll-Formfaktor sollen über 10 TByte an Daten sichern, selbst Standard-Modelle mit 7 mm Bauhöhe. Die derzeit größten SSDs für Server sind 15 mm hoch und speichern 4 TByte, beispielsweise Sandisks Optimus Max mit SAS-6-GBit/s-Schnittstelle; für 2015 sind bis zu 8 TByte geplant.
Erste Samples von Intels und Microns neuen 384-GBit-Dies sollen noch im Frühling ausgeliefert werden, die kleineren 256-GBit-Pendants wurden bereits an Partner verschickt. Die Serienfertigung beider Varianten soll im vierten Quartal 2015 starten, finale Produkte erwarten Intel und Micron nächstes Jahr.
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