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3D-Flash-Speicher: Intel liefert NAND-Wafer für chinesische SSDs

Bis in China die Produktion von Flash-Speicher in großen Mengen anläuft, wird Intel die Tsinghua Unigroup mit NAND-Wafern versorgen. Die chinesische Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) fertigt bisher nur veraltete Flash-Technik. In Südkorea rüstet Samsung derweil stark auf.

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Wafer mit Flash-Chips
Wafer mit Flash-Chips (Bild: Intel)

Intel und die vom chinesischen Staat finanzierte Tsinghua Unigroup werden bei der Herstellung von SSDs zusammenarbeiten. Das bestätigte ein Sprecher der Tsinghua Unigroup der japanischen Tageszeitung Nikkei. Intel wird die Wafer mit 3D-NAND-Flash-Speicher liefern, die Unic genannte Storage-Sparte der Tsinghua Unigroup wird mit den so erhaltenen Chips dann eigene Produkte herstellen. Mittelfristig sollen die Wafer aber von der Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) aus China kommen.

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Hintergrund ist, dass die Tsinghua Unigroup schon seit Monaten versucht, eine große Produktionskapazität von 3D-NAND im eigenen Land zu etablieren. Die Nachfrage nach Flash-Speicher ist vor allem durch Smartphones und nachfolgend durch Server immens, allerdings müssen entsprechende Chips bisher aus Japan (Toshiba), Südkorea (Samsung, SK Hynix) oder den USA (Intel, Micron, Western Digital) eingekauft werden.

China und Südkorea rüsten auf

Mit der Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) gibt es zwar bereits einen Hersteller mit eigenen Fabs, dort läuft aber nur 3D-NAND mit 32 Zellschichten und damit vergleichsweise geringer Speicherkapazität vom Band. Geplant ist, für künftig 24 Milliarden US-Dollar eines der weltweit größten Halbleiterwerke in China sowie zwei weitere teure Fabs zu bauen.

Bis dahin sollen die Wafer von Intel kommen, die sich kürzlich von Micron als Partner für 3D-NAND trennten. Das IMFT (Intel & Micron Flash Technologies) genannte Joint Venture will die dritte Generation an 3D-Flash noch wie geplant ab Ende 2018 ausliefern, danach werden beide Hersteller ihre eigenen Lösungen entwerfen. Bei 3D Xpoint bleibt die Zusammenarbeit bestehen. Passend zum Bericht über eine Kooperation bei 3D-Flash-Speicher mit Tsinghua wird Intel die Fab 68 in Dalian aufrüsten.

In Südkorea soll Samsung derzeit exorbitante 27,8 Milliarden US-Dollar (30 Billionen koreanische Won) in das P2 Project investieren, eine weitere Fab für 3D-NAND-Flash-Speicher bei Pyeongtaek. Dort steht bereits ein Halbleiterwerk, in das Samsung bis 2021 ebenfalls 30 Billionen koreanische Won stecken wird.

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