Semiconductor300 Fortschritt in DRAM-Fertigung

Artikel veröffentlicht am 5. November 1999, 9:56 Uhr, Christian Klaß

Semiconductor300 , ein 1998 gegründetes Joint-venture von Infineon Technologies und Motorola , hat einen Erfolg auf dem Gebiet der Halbleiterfertigung bekannt gegeben: Die Produktion der ersten voll funktionsfähigen 256-Mbit-DRAM-Chips in 0,2-µm-Technologie auf 300-mm-Wafern.

Ein 64-Mbit-DRAM in 0,25-µm-Technologie diente als Referenz, um die Neuentwicklung auf 300-mm-Scheiben mit der parallel laufenden Volumenproduktion bei Infineon , ehemals Siemens Halbleiter, zu vergleichen. Jetzt gelte es, die Technologie hinsichtlich der heute verwendeten Geometrieabmessungen für die Produktion zu optimieren, sowie das zugehörige Equipment entsprechend den neuen Anforderungen weiter anzupassen, so die Unternehmen.

"Daß unser Konzept stimmt, haben wir im vergangenen Monat mit der Qualifizierung der 64-Mbit-DRAMs für Kundenlieferungen bewiesen", betont Dr. Peter Kücher, General Manager von Semiconductor300. "Jetzt haben wir auf 256-Mbit-Designs umgestellt, die bei Infineon seit Mitte des Jahres in Volumen gefertigt werden."

Horia Grecu, Deputy General Manager von Semiconductor300, fügt hinzu: "Der neue Wafer für 256-Mbit-DRAMs wurde gefertigt, während die Produktionslinie auf ein neues Automatisierungskonzept umgestellt wurde. Bei diesem Konzept werden 25 Wafer-FOUPs (Front Opening Unified Pod) eingesetzt, nachdem 13 FOUPs evaluiert und getestet worden waren. Diese Umstellung war in weniger als zwei Wochen erledigt, womit die Eignung und die Zuverlässigkeit der Ladevorrichtung und der FOUP-Zuführung eindeutig demonstriert wurde. Dies bedeutet einen mächtigen Schub hinsichtlich der Produktivität."

Mit dem FOUP-Konzept ist es möglich, maximale Reinraumbedingungen innerhalb einer Wafer-Transportvorrichtung (Carrier) permanent sicher zu stellen, während die Wafer zwischen den Bearbeitungsstationen bewegt werden. So können Investitionen für zusätzliche Filtersysteme reduziert werden, wenn auf kleinere Geometrien übergegangen wird. Die effektive Kanallänge des 256-Mbit-Chips liegt unter 0,2 µm und das neue FOUP-Konzept wurde unter diesen Bedingungen auf seine Funktionstüchtigkeit hin erprobt.

Das Ziel von Semiconductor300 ist die Verbesserung der Fertigungseffizienz. Mit Hilfe der 300-mm-Prozeßtechnologie mit Halbleiter-Strukturbreiten von unter 0,2 µm soll gegenüber 200-mm-Wafern eine substantielle Senkung der Kosten pro Chip erreicht werden.

Das Semiconductor300-Projekt von Infineon, Motorola und 18 weiteren Partnerunternehmen repräsentiert einen Gesamtaufwand für Forschung und Entwicklung in Höhe von über 1 Mrd. DM (595 Mio. US-$). Es wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und dem Freistaat Sachsen unterstützt.