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Neuartige Speicherbausteine von Hitachi

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Ein Entwicklerteam von Hitachis Cambridge Forschungslaboratorium und der Cambridge University haben laut US-Medienberichten eine neue Art von Speicherzellen entwickelt, die DRAM und Flash-Speicher ablösen könnten. Die "Phase-state Low Electron Drive" (PLEDM) getauften Speicherzellen sollen sowohl einen geringeren Stromverbrauch als auch schnellere Lese- und Schreibzyklen als herkömmliche DRAMs bieten - auch ein Einsatz als nicht-flüchtiger Speicher soll möglich sein. Darüber hinaus sollen die PLEDMs auch mit herkömmlichen Fertigungstechniken produziert werden können.

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Die Zellen sollen laut Hitachi in 10 ns beschrieben werden können. Dabei soll es, im Gegensatz zum DRAM, keine Probleme mit der Ladung bei höheren Speicherkapazitäten und gleichzeitig immer kleineren Kondensatoren geben. Stattdessen sollen die PLEDM Zellen skalierbar sein: Je kleiner die Zellen werden, umso besser und schneller sollen sie laut Hitachi arbeiten.

Hitachi hofft, die PLEDM Speicherzellen in Produktionsreife zu haben, wenn die herkömmlichen Speicherbausteine die 1GBit Schwelle überschritten haben.



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