FeTRAM

Sparsame Alternative zu RAM- und Flash-Speicher

Forscher an der Universität Purdue haben mit FeTRAM eine weitere Alternative zu herkömmlichen DRAM- und Flash-Speichern entwickelt. FeTRAM soll weniger Leistung aufnehmen als Flash-Speicher und schneller arbeiten als SRAM, so die Forscher.

Artikel veröffentlicht am 28. September 2011, 12:41 Uhr, Jens Ihlenfeld

FeTRAM soll 99 Prozent weniger Leistung aufnehmen als Flash-Speicher. (Bild: Unversität Purdue)

Eine Kombination aus Silizium-Nanodrähten und einem ferroelektrischen Polymer könnte künftig herkömmliche DRAM-Chips ersetzen, zumindest wenn es nach dem Forscher Joerg Appenzeller vom Birck Nanotechnology Center der Universität Perdue geht. Ihre FeTRAM genannte Technik arbeitet nichtflüchtig, so dass der Speicherinhalt auch ohne Stromzufuhr erhalten bleibt. Aber auch im Vergleich zu Flash-Speicher soll FeTRAM 99 Prozent geringere Leistungsaufnahme aufweisen. Zudem soll FeTRAM schneller arbeiten können als SRAM.

Der Ansatz ähnelt FeRAM mit dem wesentlichen Unterschied, dass statt eines Kondensators ein ferroelektrischer Transistor zum Einsatz kommt, so dass Informationen nichtdestruktiv ausgelesen werden können.

Noch aber befindet sich FeTRAM in einem frühen Stadium: "Wir haben die Theorie entwickelt, das Experiment durchgeführt und gezeigt, wie das Ganze in einem Schaltkreis funktioniert", sagte Appenzeller. Veröffentlicht wurden die Forschungsergebnisse im Magazin Nano Letters der American Chemical Society.

Die aktuellen Prototypen haben allerdings noch eine deutlich höhere Leistungsaufnahme, künftige FeTRAM-Generationen sollen aber deutlich sparsamer werden.

Die Fertigung entsprechender Speicherchips soll mit herkömmlichen CMOS-Prozessen möglich sein. Ein entsprechendes Patent für das Konzept wurde beantragt.