Samsung

Serienfertigung von DDR3-Speicher mit 20 nm hat begonnen

Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule.

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20-Nanometer-DRAMs, Module und ein Wafer
20-Nanometer-DRAMs, Module und ein Wafer (Bild: Samsung)

Einer Mitteilung von Samsung zufolge hat das Werk "Line-16" in der südkoreanischen Provinz Gyeonggi nun die Serienfertigung aufgenommen. In der neuen Chipfabrik werde DRAM mit Strukturbreiten um 20 Nanometern gefertigt. Den genauen Wert verrät Samsung nicht. Die Rede ist, wie bei anderen Speicherherstellern auch, immer nur von "20 nanometer class". Laut einer Erklärung von Samsung sind damit Strukturen zwischen 20 und 29 Nanometern gemeint.

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Mit dem Beginn des Regelbetriebs gab Samsung nun auch an, wie die 20-Nanometer-Fabrik gebaut wurde. Im Mai 2010 begannen die Arbeiten, bereits ein Jahr später waren die Maschinen (Tools) in den Reinräumen fertig aufgebaut. Im Juni 2011 wurden erste Muster hergestellt und im September 2011 dann die Serienfertigung aufgenommen.

In der neuen Fabrik stellt Samsung zunächst 2-GBit-Chips auf 300-Millimeter-Wafern her. Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine serienreif sein. Dann soll die Fab auch ihre volle Kapazität von 10.000 Wafern pro Monat erreichen. Laut Samsung ist die 12 Stockwerke hohe Line-16 die modernste Speicherfabrik der Welt.

Im kommenden Jahr will Samsung auf Basis der neuen 4-GBit-Chips auch Speichermodule bis zu 32 Gigabyte Kapazität anbieten. Wie bei allen Halbleitern hat Samsung bei den Taktfrequenzen und den Spannungen die Wahl: Entweder können schnellere DDR3-Speicher hergestellt werden, oder sparsamere, wie sie in Servern mit DDR3L bei 1,35 Volt schon gebräuchlich sind. Ob in dem neuen Werk auch die vor kurzem angekündigten DDR4-Speicher hergestellt werden sollen, gab Samsung noch nicht an.

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