Halbleiter
Samsung und Globalfoundries entwickeln 28-nm-Prozess
Drei neue Fertigungsverfahren mit Strukturbreiten von 28 Nanometern wollen Samsung und Globalfoundries gemeinsam bis zur Serienreife bringen. Die Prozesse sollen unter anderem für Smartphone-Chips dienen und gleich in vier Chipfabriken verwendet werden.
Samsung und Globalfoundries weiten ihre Zusammenarbeit aus. Die beiden Unternehmen wollen drei verschiedene Herstellungsverfahren für Chips mit Strukturbreiten von 28 Nanometern entwickeln. Als 28-nm-SLP wird dabei der erste Prozess bezeichnet, der ohne gestrecktes Silizium auskommen muss. Dadurch ergeben sich keine hohen Energieeinsparungen, aber Frequenzen um 1,5 GHz.
28-nm-LPH ist das zweite Verfahren. Es basiert auf dem SLP-Prozess, ist aber für Spannungen unter 1 Volt vorgesehen und soll auch statisches RAM mit geringen Leckströmen (LLSRAM) ermöglichen. Dieser Prozess ist damit vor allem für mobile Systems-on-a-Chip vorgesehen, wie sie in Smartphones und Tablets verwendet werden. Sowohl Samsung als auch Globalfoundries sind Kooperationspartner von ARM.
Als drittes Fertigungsverfahren bieten die beiden Unternehmen 28-nm-HPP an. Dabei wird gestrecktes Silizium verwendet, was geringe Leistungsaufnahme und hohe Frequenzen ermöglicht. Die Fertigungskosten sind jedoch deutlich höher. Daher sehen die Partner diese Technik vor allem für Spezialchips wie für Netzwerkbausteine vor, wo der Kostendruck nicht so hoch ist wie bei Consumergeräten.
Die Stückzahlen sind jedoch bei Produkten, für die 28-nm-LPH gebraucht wird, ungleich höher. Daher soll dieser Prozess bei Globalfoundries in Dresden (Fab 1) und New York (Fab 8) sowie bei Samsung im koreanischen Giheung (Fab S1) und Samsungs aufgerüsteter Fab S2 im texanischen Austin verwendet werden.
Mit gleich vier Fertigungsstätten streben die beiden Unternehmen offenbar nach einem großen Marktanteil bei mobilen SoCs. Wann alle vier Fabs die Serienproduktion aufnehmen können, gaben Samsung und Globalfoundries aber noch nicht an.
