IBM: Phase-Change-Memory soll 2016 marktreif sein
Auf einem Kongress der IEEE hat IBM einen Phasenwechselspeicher demonstriert, der zwei Bits pro Zelle speichern kann. Der Baustein arbeitet also nach einem ähnlichen Prinzip wie MLC-Flash(öffnet im neuen Fenster) (multi level cells), was derzeit der am häufigsten verbaute nicht-flüchtige Speicher auf Halbleiterbasis ist.
Damit ist der Weg frei zu höheren Speicherdichten auch bei Phase-Change-Memory (PCM). Die geringen Kapazitäten standen bisher praktischen Anwendungen im Weg. So ist beispielsweise auch die kürzlich vorgestellte Onyx-SSD der Universität von San Diego nur 10 GByte groß. Der Speicher verteilt sich dabei noch auf 16 PCM-DIMMs mit Bausteinen von Micron.
Diese SSD erreicht bereits mit diesem frühen PCM eine Geschwindigkeit von 2,8 GByte pro Sekunde – hohes Tempo ist eines der größten Versprechen der Phasenwechselspeicher. Daher will IBM seine Bausteine auch vor allem in Servern einsetzen. Erstmals nannte das Unternehmen nun dafür auch einen ungefähren Termin: Bis 2016 soll es so weit sein. Im Gegensatz zu Flash, das höchstens auf 30.000 Schreibzyklen pro Zelle kommt, soll PCM auch über 10 Millionen Schreibvorgänge aushalten.
Das Beschreiben von PCM ist zwar schnell, brachte für Multi-Level-Cells aber auch Probleme mit sich, weil sich die Widerstandswerte der Phasenzustände in den Zellen verändern können – auch bei benachbarten Speichereinheiten. IBM hat das eigenen Angaben zufolge nun gelöst, indem ein neues Modulationsverfahren entwickelt wurde.
Der Prototyp des MLC-PCM mit 2 Bit pro Zelle wurde mit 90 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Das erste Muster erreicht dabei aber nur eine Kapazität von 2 Megabit, Flash-Bausteine werden derzeit mit Kapazitäten von bis zu 64 Gigabit pro Chip in Massenstückzahlen verkauft.