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RLDRAM mit Bumps
RLDRAM mit Bumps (Bild: Micron)

Micron

Sparsames RLDRAM mit 2.133 MBit/s

Die vor allem für Netzwerkgeräte nötigen Speicher mit besonders geringen Latenzen gehen in die dritte Generation. Micron liefert jetzt erste Muster aus und will noch 2011 die Serienfertigung aufnehmen.

Die "RLDRAMs", oder Reduced Latency DRAMs, zeichnen sich durch besonders geringe Zugriffszeiten aus. Daher kommen sie vor allem in Geräten wie Switches, Routern und Firewalls bei Telekommunikationsdienstleistern zum Einsatz, wo es nicht um große Speichermengen geht, sondern um einen kontinuierlich hohen Durchsatz.

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Für sein RLDRAM 3 gibt Micron Latenzen von unter 10 Nanosekunden an, bei einer Bandbreite von 2.133 Megabit pro Sekunde. Folglich sollen die Chips nicht nur für das bereits verbreitete 40-Gigabit-Ethernet, sondern auch für Adapter mit 100 Gigabit pro Sekunde Verwendung finden. Die neuen Chips können mit Spannungen von 1,35 Volt für die Speicherbereiche und 1,2 Volt für die Schnittstellen betrieben werden.

Micron liefert jetzt erste Muster der Bausteine aus und will die Serienproduktion in der zweiten Hälfte des Jahres 2011 aufnehmen. Dafür gibt es nun auch einen neuen Partner: Integrated Silicon Solution (ISSI) will die Chips neben Micron in Lizenz herstellen. Preise und Kapazitäten für die Bausteine nannten beide Unternehmen noch nicht. Microns Roadmap für RLDRAM sieht jedoch Kapazitäten von 576 Megabit und 1 Gigabit je Chip vor.


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