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Elpida

Erste Muster von 4-GBit-DRAMs für Smartphones

Mitte 2011 will Elpida die Serienfertigung von sparsamen Speicherbausteinen mit 4 Gigabit Kapazität aufnehmen. Erste Muster gibt es bereits, sie werden in 30 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Künftige Smartphones könnten so schneller und flexibler werden.

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Elpidas Ankündigung kommt kurz nach einem ähnlichen Produkt von Samsung: DRAMs nach LPDDR2 mit 1,2 Volt bei 30 Nanometern sind Stand der Technik. Die Nachfrage scheint enorm zu sein, so will Elpida seinen 4-GBit-Chip nicht nur selbst in seinem Werk in Hiroshima herstellen, sondern auch bei seinem Joint-Venture-Partner Rexchip in Taiwan.

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Ab sofort liefert Elpida erste Muster der Bausteine aus, die Serienfertigung soll im Juni 2011 aufgenommen werden. Wie schon bei früheren mobilen Speichern können die Chips gestapelt werden (stacked DRAM), wodurch sich aus nur zwei Dies ein Arbeitsspeicher von 1 GByte machen lässt - das bieten bisher die wenigsten Smartphones. Der 4-GBit-Chip selbst ist, wie beim Samsung-Pendant, nur 0,8 Millimeter dick, was der üblichen Stärke eines Wafers entspricht. Auch in vielen SoCs wie bei Apples A4 und A5 kommt die Technik von mehreren Dies in einem Gehäuse (MCP) zum Einsatz.

Folglich gibt Elpida auch an, dass die neuen Bausteine in Smartphones mit 1 GByte und Tablets mit 2 GByte Arbeitsspeicher verwendet werden sollen, nennt dabei aber keine Kunden. Anbieten will der japanische Hersteller seine DRAMs als nackte Dies, im FBGA-Gehäuse, als Package-on-Package (PoP) oder als Multi-Chip-Package (MCP). Preise nennt das Unternehmen bisher noch nicht.

Die neuen mobilen Speicher von Elpida und Samsung sind für die Hersteller von mobilen Geräten leicht einzusetzen, weil sie wie schon die Vorgängergeneration dem JEDEC-Standard LPDDR2 folgen. Die Elpida-Bausteine erreichen dabei, wie auch bei Samsung, effektive Takte von 1.066 MHz bei 1,2 bis 1,8 Volt Spannung. Die Gerätehersteller müssen ihre Designs für die neuen Bausteine kaum anpassen.



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