Mobiler Speicher

LPDDR2 mit 4 GBit in 30-Nanometer-Technik von Samsung

Samsung hat die Produktion von LPDDR2-Speicherchips (Low-Power-DDR2) mit 4 GBit Kapazität in 30-Nanometer-Technik begonnen. Die DRAM-Chips sollen die Entwicklung kleinerer mobiler Endgeräte mit längerer Akkulaufzeit ermöglichen.

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Mobiler Speicher: LPDDR2 mit 4 GBit in 30-Nanometer-Technik von Samsung

Die Massenproduktion der LPDDR2-Chips mit 4 GBit sei ein großer Fortschritt für die Mobile-Industrie, feiert sich Samsung selbst. Die Standardisierungsorganisation JEDEC hat LPDDR2 bereits im April 2009 verabschiedet und Samsung seine 4-GBit-Chips in 30-Nanometer-Technik im Dezember 2010 vorgestellt. Im März 2011 begann nun die Massenproduktion.

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LPDDR2-Speicherchips in 30-Nanomter-Technik von Samsung
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Im Vergleich zur Vorgängergeneration, LPDDR2-Chips mit 2 GBit in 40-Nanometer-Technik, sollten die Neuen die Produktivität um 60 Prozent erhöhen, erklärte Samsung, ohne konkrete Zahlen zu nennen.

Die neuen Chips bieten Transfergeschwindigkeiten von bis zu 1.066 MBit/s, während heutige MDDR-Chips nur 333 oder 400 MBit/s erreichen. Zudem werden aufgrund der höheren Kapazität weniger Chips benötigt: Ein Modul mit 1 GByte lässt sich aus zwei Chips zusammensetzen. Ein solches Package soll verglichen mit den alten 2-GBit-LPDDR2-Chips nur 0,8 statt 1 mm dick sein und eine rund 25 Prozent geringere Leistungsaufnahme besitzen.

Samsung will Module mit 1, 2 und 4 GByte anbieten.

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