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Deutsche Erfindung soll MRAM deutlich schneller machen

Die Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) hat sich ein Patent für den Schreibvorgang bei MRAMs gesichert. Damit sollen die magnetischen Ladungen so schnell wie bei DRAMs geschrieben werden können.

Artikel veröffentlicht am ,
MRAM-Zelle des PTB
MRAM-Zelle des PTB

Als einer der vielen designierten Nachfolger von DRAM und Flash hat das vor allem von NEC entwickelte MRAM ein Hauptproblem: Die Schreibraten sind viel zu niedrig. Das liegt an den Eigenheiten der Speicherung von magnetischen Ladungen in Halbleitern, wie die PTB erklärt. Das "magnetische Klingeln" sorgt dafür, dass beim Beschreiben einer Zelle auch die benachbarten Zellen magnetisch angeregt werden.

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Bis das Klingeln abklingt, kann kein weiterer Schreibvorgang stattfinden - und das dauert. Bis zu 2 Nanosekunden müssen zwischen den Zugriffen liegen, was Latenzen entspricht, die DRAMs schon seit über zehn Jahren überwunden haben. Das PTB will das Problem durch die "ballistische Bitansteuerung" gelöst haben. Dabei folgen die Magnetpulse bestimmten Mustern, welche die Nachbarzellen kaum zum Klingeln anregen sollen.

Die Schaltpulse sollen unter 500 Picosekunden lang sein, was effektive Taktraten von 2 GHz ergeben soll. Mitte 2009 feierte MRAM-Verfechter NEC schon 400 MHz als großen Fortschritt, erklärte aber auch, das Problem der hohen Schreibströme von damals rund 1 Milliampere sei noch nicht gelöst. Ob die PTB-Erfindung auch hier Verbesserungen bringt, ist nicht bekannt.

Dass das Institut nun mit seiner MRAM-Technik an die Öffentlichkeit tritt, hat einen handfesten Grund. Die Erfindung ist bereits patentiert, aber: "Ein Industrieunternehmen, das solche MRAM in Lizenz fertigt, wird noch gesucht", teilt die PTB mit.

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Abseus 11. Mär 2011

zitat "Dass das Institut nun mit seiner MRAM-Technik an die Öffentlichkeit tritt, hat...

red creep 11. Mär 2011

Entschuldige, dass ich das so direkt sagen muss, aber das ist falsch. Laut einer Tabelle...


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