Schneller Speicher: Samsung fertigt DDR3-Chips in 30-Nanometertechnik
Samsungs neue DDR3-Chips in 30-Nanometertechnik sollen einen höheren Datendurchsatz erlauben als Bausteine vorheriger Generationen. Die Servervariante erreicht Bandbreiten von 1.866 GBit/s bei 1,35 Volt, die Desktop-Chips 2.133 Gbit/s bei 1,5 Volt. Das sei 3,5 mal schneller als DDR3-Speicher und 1,6 mal schneller als DDR3-Speicher in 50-Nanometer-Bauweise, so Samsung.
In Kombination mit modernen Multicore-CPUs sollen 4-GByte-Module auf Basis der 30-Nanometer-Chips rund 60 Prozent schneller sein als eine Lösung mit zwei 2-GByte-Modulen aus 50-Nanometerchips. Zudem sinke die Leistungsaufnahme um 65 Prozent.
Für Samsung hat die Umstellung auf den 30-Nanometer-Prozess einen weiteren Vorteil: Es passen mehr Chips auf einen Wafer, was im Vergleich zum 50-Nanometer-Prozess die Produktivität um 155 Prozent steigern soll.
Bis Jahresende will Samsung neben den 2-GBit-Chips auch 4-GBit-Chips produzieren und dann ein erweitertes Portfolio von Speichermodulen anbieten. Geplant sind RDIMMS für Server mit 4, 8, 16 und 32 GByte, UDIMMS für Workstations und Desktops mit 2,4 und 8 GByte sowie SoDIMMS für Notebooks und All-in-One-PCs mit 2, 4 und 8 GByte.