Organischer Flash-Speicher entwickelt
Der an der Universität Tokyo entwickelte organische Flash-Speicher kann mit recht niedriger Spannung von 6 bzw. 1 Volt gelöscht und gelesen werden. Dabei sollen rund 1.000 Lösch- und Schreibzyklen möglich sein, schreibt die japanische Zeitung Nikkei(öffnet im neuen Fenster).
Darüber hinaus soll sich der organische Flash-Speicher mit seiner hohen Flexibilität vielseitig einsetzen lassen, beispielsweise in großflächigen Sensoren oder in elektronischem Papier.
Die Forscher um Takeo Someya und Tsuyoshi Sekitani nutzen dabei einen Bogen Polyethylen Napgtalat (PEN) als Substrat und ordneten darauf 26 x 26 Speicherzellen an. Der Bogen mit den Speicherzellen soll sich bis zu einem Radius von 6 mm biegen lassen.
Die Bezeichnung organischer Flash-Speicher geht auf die Verwendung von Floating-Gate-Transistoren zurück, die auch in siliziumbasiertem Flash-Speicher zum Einsatz kommen. Die übrigen Komponenten sind aus Aluminium und Gold gefertigt. Als Isolierschicht kommt eine sich selbst ordnende Monoschicht (self-assembled monolayer, SAM) zum Einsatz, die unter normaler Atmosphäre stabil ist.
Größter Nachteil der Technik ist ihre kurze Speicherdauer von nur einem Tag. Diese soll sich künftig aber deutlich steigern lassen, zitiert die Zeitung die Forscher.