Samsung startet Serienproduktion von 30-Nanometer-Flash

DDR-Flash soll über viermal höhere Datenraten erlauben. Nach Angaben des Unternehmens hat Samsung Ende November 2009 die Massenfertigung von NAND-Flashbausteinen mit 30 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zwei Versionen der 32-Gigabit-Chips soll es zunächst geben, eine davon auch als "DDR Flash" mit deutlich höheren Datenraten als bisher.

1. Dezember 2009 um 12:26 Uhr / Nico Ernst

Mit der Verkleinerung der Strukturbreite von bisher bei Samsung 50 Nanometern auf 30 Nanometer lassen sich rund viermal so viele Chips bei gleicher Kapazität pro Wafer herstellen – oder mit vierfacher Kapazität bei gleicher Die-Größe. Mittelfristig dürften die seit Jahren stark fallenden Preise für Flashspeicher also weiterhin nachgeben.

Zwei 30-nm-Chips mit MLC-Bauweise stellt Samsung inzwischen in Serie her. Ein 32-GBit-Flash mit 3 Bits pro Zelle soll zunächst für MicroSD-Karten zum Einsatz kommen, dafür gibt es von Samsung auch einen eigenen Controller. Mit zwei dieser Flashbausteine will Samsung bald günstigere MicroSD-Karten mit 8 GByte anbieten, danach sollen die neuen Chips auch für USB-Sticks verfügbar gemacht werden.

Für besonders schnelle Sticks und Karten, aber auch für SSDs, ist der zweite 30-Nanometer-Baustein gedacht. Er verfügt laut Samsung über eine "asynchrone DDR-Schnittstelle", eine Bezeichnung, die es so bisher allein für Flashchips nicht gab. Statt 40 Megabit pro Sekunde – wie bei Samsungs bisherigen MLC-Chips – soll der neue Baustein 133 Megabit pro Sekunde erreichen.

Neben Samsung will noch im vierten Quartal IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, die Serienfertigung von 3-Bit-Flash in einer neuen Strukturbreite aufnehmen. Die Chips sind mit 34 Nanometern aber etwas größer als die von Samsung.