Samsung: DDR3-Chips mit 8 GBit für Module mit 32 GByte

Neue DDR3-Chips in 50-Nanometer-Technik und mit verringertem Stromverbrauch. Samsung hat einen DDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 4 GBit in 50-Nanometer-Technik entwickelt. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich damit DDR3-Speichermodule mit bis zu 32 GByte Speicherkapazität herstellen.

30. Januar 2009 um 11:26 Uhr / Jens Ihlenfeld

Affiliate-Hinweis

Wenn Sie auf diesen Link klicken und darüber einkaufen, erhält Golem eine kleine Provision. Dies ändert nichts am Preis der Artikel.

Samsungs 4-GBit-DDR3-Chip arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt und soll 20 Prozent schneller sein als ein DDR2-Chip mit 1,5 Volt. Den maximalen Datendurchsatz des Chips gibt Samsung mit 1,6 GBit/s an.

In einem 16-GByte-Modul sollen die neuen Speicherchips rund 40 Prozent weniger Strom verbrauchen als DDR3-Module mit 2-GBit-Chips, schließlich müssen bei gleicher Kapazität nur halb so viele Chips mit Strom versorgt werden – 32 statt 64.

Laut Samsung können die neuen Chips in RDIMMs mit 16 GByte für Server, ungepufferten 8-GByte-DIMMs für Workstations und Desktops-PCs sowie in SODIMMs für Laptops eingesetzt werden, die ebenfalls 8 GByte Kapazität bieten. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich Speicherriegel mit bis zu 32 GByte Kapazität herstellen.

Wann erste Module mit den neuen Chips auf den Markt kommen werden, verriet Samsung nicht.