Qimonda liefert DRAMs in neuer Bauweise aus

Serienproduktion von Speichern mit "Buried Wordlines"

Trotz finanzieller Schwierigkeiten und Arbeitsplatzabbau hat der Infineon-Ableger Qimonda wie geplant die Serienfertigung von DRAM-Bausteinen in einer neuen Bauweise aufgenommen. Die Speicher werden mit 65 Nanometern Strukturbreite bereits ausgeliefert, erste Muster mit 46 Nanometern gibt es ebenfalls.

Artikel veröffentlicht am 5. November 2008, 14:32 Uhr, Nico Ernst

Buried- und herkömmliches Stacked-DRAM Im Februar 2008 hatte der schwer angeschlagene Chiphersteller Qimonda seine DRAMs mit "Buried Wordlines" angekündigt. Dabei sind die Datenleitungen unterhalb ("vergraben") der Speicherzelle angebracht, was deutlich kleinere Chips und damit eine höhere Kapazität in der Fertigung mit sich bringt. Zudem sollen die Speicherbausteine besonders stromsparend arbeiten.

Wie das Unternehmen jetzt bekanntgab, werden die ersten DDR2-Bausteine in dieser Fertigungsweise mit 1 GBit Kapazität und 65 Nanometern Strukturbreite seit Oktober 2008 ausgeliefert. Zudem wurden bereits erste Muster von 2-GBit-Chips nach DDR3 mit Strukturen von 46 Nanometern Breite hergestellt. Dieser Baustein soll der kleinste derartige Chip der Welt sein. Die Serienfertigung der DDR3-Chips will Qimonda Mitte 2009 aufnehmen.