DDR3 MetaSDRAM verdoppelt Speicherkapazität

System mit 144 GByte Speicher auf dem IDF gezeigt

Der Chipentwickler MetaRAM will mit einer neuen Technik die Speicherkapazität von DDR3-Speicher verdoppeln. Das auf dem IDF gezeigte DDR3-MetaSDRAM soll zudem sehr schnell arbeiten.

Artikel veröffentlicht am 20. August 2008, 9:21 Uhr, Jens Ihlenfeld

Intel-Vize Pat Gelsinger zeigte MetaRAM-Chips von Hynix während seiner Keynote-Ansprache, das entsprechende System kam so auf einen Speicherausbau von 144 GByte. Zudem wurde ein R-DIMM mit 16 GByte gezeigt.

Die Technik hinter dem DDR3-MetaSDRAM ähnelt MetaRAMs DDR2-Technik, die vier einzelne DDR2-SDRAMs mit je 1 GBit Kapazität zu einem virtuellen Chip mit 4 GBit zusammenfasst. Der MetaRAM-Chip sitzt zwischen Speicher und CPU und sorgt dafür, dass die vier Speicherchips aus Sicht des Prozessors wie ein einzelner Chip mit vierfacher Kapazität erscheinen. So lässt sich bereits mit der DDR2-Technik die Speicherkapazität pro DIMM vervierfachen, ohne dass dabei Änderungen an der Hard- oder Software notwendig sind.

Die DDR3-Module mit bis zu 24 GByte laufen mit einem Kanal bei 1.066 MHz. Mit drei 16-GByte-Modulen lassen sich bis zu 48 GByte über einen Kanal anbinden. Zu haben sind die neuen DDR3-MetaSDRAM-Module mit Kapazitäten von 4, 8 und 16 GByte.

Muster aller drei Chips sind bereits im Umlauf, ab Oktober soll die Produktion von Modulen mit 4 und 8 GByte starten, die 16-GByte-Module sollen ab Dezember gefertigt werden.