Sony dreht den CMOS-Sensor um

Schwächeres Rauschen und höhere Lichtempfindlichkeit

Sony will die Lichtempfindlichkeit und das Rauschverhalten von CMOS-Sensoren für Digitalkameras verbessern und hat ein neues Konstruktionsprinzip vorgestellt. Der Aufbau des CMOS-Sensors wird dabei auf den Kopf gestellt.

Artikel veröffentlicht am 11. Juni 2008, 14:21 Uhr, Jens Ihlenfeld

Sony CMOS mit BSI Bei herkömmlichen CMOS-Sensoren fällt das Licht zuerst durch ein Gestrüpp von Metallverdrahtungen, bis es die lichtempfindliche Schicht erreicht. Bei sogenannten rückwärtig belichteten CMOS-Sensoren liegt die Substratschicht direkt unterhalb des Farbfilters der Bayer-Matrix. Das Licht trifft so fast ungehindert auf die Stelle, auf die es gehört.

Die neuen Sensoren mit einer Pixelgröße von 1,75 Mikrometern, einer Auflösung von fünf Megapixeln und der Möglichkeit, 60 Bilder pro Sekunde aufzuzeichnen, will Sony nicht nur in Digitalkameras, sondern auch in Camcordern einsetzen.

Die umgedrehten CMOS-Sensoren sollen denen herkömmlicher Bauart deutlich überlegen sein. Sony gibt eine doppelt so hohe Empfindlichkeit, ein geringeres Rauschen und eine niedrigere Pixelfehlerrate an.

Sony CMOS mit BSI Bislang konzentrierte sich die Entwicklung von CMOS-Sensoren eher in Richtung kleinerer Pixelstrukturen. Dabei blieben vor allem im Billigsegment häufig weitere Anforderungen wie ein geringes Rauschen bei hoher Lichtempfindlichkeit auf der Strecke. Dies soll sich durch die neue CMOS-Generation ändern.

Die generellen Vorteile der CMOS-Technik gegenüber CCDs bleiben erhalten. Der Strombedarf ist weiterhin niedrig und die Auslesegeschwindigkeit bleibt hoch. Wann die neuen Sensoren Einzug in Digitalkameras finden werden, ließ Sony noch offen.

Das japanische Unternehmen ist nicht allein bei der Entwicklung von CMOS-Sensoren mit "backside illumination". Der Sensorhersteller OmniVision hat mit OmniBSI eine neue Sensorarchitektur vorgestellt, die ähnlich arbeitet wie Sonys Ansatz.