Qimonda noch 2008 mit neuartigen DRAMs

Neue Konstruktion der Speicherzellen soll besonders stromsparend sein. Mit "Buried Wordlines" will Qimonda noch im Jahr 2008 erste Speicher-Bausteine ausliefern, bei denen die Transistoren anders als bisher gebaut werden. Die neue Technik soll die Speicherdichte erhöhen und dabei sehr stromsparend, und mindestens bis 2012 aktuell sein.

27. Februar 2008 um 12:20 Uhr / Nico Ernst

Die meisten DRAMs werden bisher mit Speicherzellen konstruiert, bei denen ein Graben, das "Trench", ins Silizium gezogen wird. Die Datenleitungen für die Bits und Words werden oberhalb angebracht, weswegen diese Bauform auch "Stacked DRAM" genannt wird.

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Bei den neuen Qimonda-Speichern sitzt die Wordline aber unterhalb der Speicherzelle, sie ist "vergraben", weshalb der Infineon-Ableger sein Verfahren "buried wordline" nennt. Noch in der zweiten Hälfte des Jahres 2008 will Qimonda solche DRAMs mit 1 Gigabit Kapazität ausliefern, sie werden in 65 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Mitte 2009 soll dann der Umstieg auf 46 Nanometer erfolgen.

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Die Buried Wordlines will Qimonda auch für mehrere Generationen der 30-Nanometer-Klasse einsetzen, die bis über das Jahr 2012 gefertigt werden soll. Neben einer höheren Speicherdichte sollen die neuen Speicher auch sehr stromsparend sein. Qimonda nannte dazu noch keine konkreten Zahlen, sondern legte nur ein Diagramm vor, laut dem die neuen Speicher rund die Hälfte des Stromes von Konkurrenzprodukten in 65 Nanometern Strukturbreite aufnehmen sollen.

Auch andere Speicher-Hersteller, unter anderem Marktführer Samsung, arbeiten an Buried Wordlines, haben dazu aber noch keine Ankündigungen gemacht.