Rekord: CMOS-Chip mit 410 GHz
Es sei das erste Mal seit langem, dass ein CMOS-Chip schneller getaktet ist als der schnellste mit Indium-Phosphid hergestellte Chip, sagt Professor Ken O, der das Projekt leitet. Gefertigt wurde der Rekord-Chip in einem 45-Nanometer-Prozess von Texas Instruments. Die Herstellung im weit verbreiteten CMOS-Verfahren ist deutlich billiger als Prozesse mit Indium-Phosphid und ähnlichen Bestandteilen. Der zuletzt aufgestellte Rekord mit einem CMOS-Chip lag bei 200 GHz.
In fünf Jahren soll es möglich sein, entsprechende Chips in Masse zu produzieren, so die Wissenschaftler. Als Einsatzgebiete nennen sie Umweltüberwachungssysteme, die immer in Betrieb sind, das Durchleuchten von Kleidung bei der Kontrolle nach Waffen und auch bei der Früherkennung von Hautkrebs sowie der industriellen Qualitätskontrolle.
Vorgestellt wurden die Arbeiten auf dem International Solid State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco.