Neue Technik soll Flash-Speicher billiger machen
SanDisk und Toshiba präsentieren neue Herstellungstechnik für NAND-Flash. Spätestens im April 2008 will SanDisk die Massenproduktion von NAND-Flash-Speicher mit drei Bit pro Zelle in 56-Nanometer-Technik starten. Im Vergleich zu herkömmlichen Multi-Level-Cell-Chips mit 2 Bit pro Zelle sollen sich so 20 Prozent mehr Dies auf einem Wafer unterbringen lassen, was die Produktionskosten senkt.
Rund zwei Jahre Entwicklungszeit stecken in der neuen "x3" getauften Flash-Architektur, wobei SanDisk mit Toshiba zusammengearbeitet hat. Die jetzt angekündigten 16-GBit-Chips sollen Daten mit einer Geschwindigkeit von 8 MByte pro Sekunde schreiben und liegen damit auf dem Niveau aktueller MLC-Flash-Chips.
Auch in einem anderen Bereich meldet SanDisk Fortschritte: Zusammen mit Toshiba stellt SanDisk MLC-Flash-Chips in einer 43-Nanometer-Technik her. Die Datendichte soll sich damit im Vergleich zur 56-Nanometer-Technik verdoppeln lassen. Auch dies senkt die Herstellungskosten von Flash-Speicher. Erste 16-GBit-Chips will SanDisk im zweiten Quartal 2008 ausliefern, in der zweiten Jahreshälfte sollen 32-GBit-Chips folgen.